为量产3D NAND铺路　东芝启动Fab5第二期工程

　　面对储存型闪存（NAND Flash）供货紧缩，以及二维（2D）NAND Flash将于10纳米制程面临微缩瓶颈，东芝（Toshiba）已于近期宣布将于2013年8月底展开五号半导体制造工厂（Fab 5）第二期建厂计划，以因应未来NAND Flash扩产需求，并为日后投产3D NAND Flash预先做好准备。

　　为突破NAND Flash微缩关卡的主流技术，东芝正规划3D NAND Flash制程，东芝表示，未来将会有更多适用于3D NAND Flash的应用陆续出现，而五号半导体制造工厂扩产，将有助该公司提高市场竞争力，并迎合市场需求。

　　五号半导体制造工厂第二期工程除将成为往后该公司用以生产3D NAND Flash的利器之外，并将确保东芝可基于最新的纳米制程技术，持续扩产NAND Flash。东芝指出，智能手机、平板装置、企业伺服器用固态硬盘（SSD）及其他新应用不断增长的需求，正带动NAND Flash产业复苏，而考量长期的市场供需平衡，东芝已计划投入五号半导体工厂的扩产。

　　据了解，五号半导体制造工厂第二期将拥有具备减震结构设计的自动化产品运输系统，以避免地震时工厂崩塌造成环境的负荷；并有发光二极体（LED）照明和最新的节能生产设施的部署，可充分和有效的利用余热，相较于四号半导体制造工厂，预计将削减13%的二氧化碳排放量。

　　据悉，东芝于日本三重县四日市已拥有三座晶圆厂，大规模量产NAND Flash，其中包括五号半导体制造工厂第一阶段厂房。