南亚科：看好今年DRAM市场前景，将加速开发10nm制程与DDR5

4月26日消息 据报道，DRAM厂商南亚科预计，今年DRAM需求将稳定增长。不过供应商供货增长幅度预计有限，但5G智能手机和数据中心不断发展，可能推高需求端增长幅度，整体产业有望健康发展。
 

 
南亚科董事长吴嘉昭指出，今年预期DRAM市场售价止跌回升，整体产业可望走出谷底，并迈向成长。南亚科将投入更多的研发资源，加速开发10纳米级制程技术与DDR5产品，同时规划新厂扩建，未来将以符合市场需求为目标，逐步增加产出。
 
对于今年营运计划，南亚科表示，1A制程试产线已完成建置，今年将持续致力产品试产及良率提升，前导产品8Gb DDR4预计下半年开始送样认证及小量生产；第二颗为下世代DDR5，正在设计开发，预计下半年开始试产。今年也将同步加速1B制程技术及产品开发时程，预计第三季开始试产首颗产品。
 
除10纳米级产品线外，南亚科也将持续优化20纳米产品组合，除增加DDR4最高规格3200Mbps在服务器及PC OEM客户认证，提升销售量外，也将加速20纳米低功率产品推广。LPDDR4X 4267Mbps最高规格产品正认证中，未来目标市场包括便携型产品、汽车及工业等应用。
 
此前，南亚科已规划建设一座双层无尘室12寸先进晶圆厂，将采用南亚科自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片，及规划建置EUV极紫外光生产技术，月产能约为45,000片晶圆。新厂计划于2021年底动工，2023年底完工，2024年开始第一阶段量产。
 
据称，为应对1A制程技术的量产、新厂房兴建及一般部门资本支出，南亚科今年资本支出上限预计为新台币156亿元。
 
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