三星新一代移动设备芯片将支持4GB RAM

　　你认为现在三星Galaxy Note 3所配备的3GB运行内存已经很大了？那么我告诉你这仅仅是一个开始。最近三星公司刚刚公布了旗下首个8GB低功率的LPDDR4内存芯片，并且可以在移动设备大小的多层结构芯片中肩负4GB运行内存的功能。这颗8GB LPDDR4移动DRAM芯片，由20nm工艺制作，三星表示该DRAM可以在降低功耗的同时提供高标准的性能表现。

　　据悉，，4个8GB芯片如果进行结合，那么会产生4GB的LPDDR4，即总容量为4GB的DRAM产品。今年下半年，Galaxy Note 3已经开始启用3GB RAM，明年 Galaxy S5或者Galaxy Note 4有望采用4GB运行内存。

　　三星公司表示，LPDDR4的性能将比LPDDR3、DDR3高出50％，同时因为电压降至1.1V，因此还会在能耗上降低40％。

　　怎么样，大内存移动设备的时代已经正式开启了，三星公司表示该技术将应用于拥有超清显示器的笔记本电脑、智能机以及平板，额外的内存对于驱动更多像素将会非常重要。

　　三星电子内存销售及市场副总裁Young-Hyun Jun表示：“新一代LPDDR4 DRAM将会在2014拉动全球移动DRAM市场的增长，并且很快将占据DRAM市场的大部分份额。而三星也将继续致力于移动DRAM芯片的研发工作，从而使全球的OEM厂商能够制造出性能更强大的移动设备来满足用户的需求。”

　　据悉，与目前的LPDDR3芯片相比，三星推出的新款LPDDR4芯片将有50%的性能提升，而且能耗将下降40%。此外，这款LPDDR4芯片很可能将被使用在三星即将推出的配备2K屏幕的Galaxy S5旗舰机型上，而其3.2Mbps的数据传输速率是目前LPDDR3芯片的两倍之多。三星曾在去年九月推出的Galaxy Note 3上率先使用了3GB内存，而仅仅半年之后，首款搭载4GB内存的手机或许就将在MWC 2014展会上正式亮相。