半导体存储器芯片的基本结构解析

　　半导体存储器芯片，按照读写功能可分为随机读写存储器（RandomAccessMemory，RAM）和只读存储器（ReadOnlyMemory，ROM）两大类。

　　RAM可以读取也可以写入，但断电时其中所存储的信息会丢失；ROM则是只能读出其中的内容，不能写入，但断电不会导致信息丢失，可永久保存。

　　RAM

　　广泛使用的RAM（半导体随机读写存储器）是MOS半导体存储器。按保存数据的机理，RAM还可分为静态存储器（StaTIcRAM，SRAM）和动态存储器（DynamicRAM，DRAM）。

　　1、静态存储器（即SRAM）

　　SRAM利用双稳态触发器来保存信息，不断电信息就不会丢失。SRAM的集成度低、成本高、功耗较大，通常作为Cache的存储体。

　　2、动态存储器（即DRAM）

　　DRAM利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需要不断给电容充电才能保持信息。DRAM电路简单、集成度高、成本低、功耗小，但使用时需要反复进行刷新 *** 作，所以速度较慢，适合作为主存储器的主体部分。

　　刷新 *** 作（Refresh）：为防止DRAM存储的信息电荷泄漏而丢失信息，由外界按一定规律不断地给栅极进行充电，补足栅极的信息电荷。

　　DRAM存储器的刷新需要有硬件线路的支持，这些控制线路可以集成在一个半导体芯片上，形成DRAM控制器。借助于DRAM控制器，可以把DRAM当作SRAM一样使用，从而为系统设计带来很大的方便。

　　ROM

　　ROM（只读存储器）是一种存储固定信息的存储器，在正常工作状态下只能读取数据，不能即时修改或重新写入数据。

　　这种存储器电路结构简单，且存放的数据在断电后不会丢失，特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据，比如计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。

　　ROM的最大优点是具有不易失性。

　　ROM有不可重写只读存储器（MROM、PROM）和可重写只读存储器（EPROM、EEPROM、闪速存储器等）两大类。
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