GF、ARM共同定义行动技术平台新标准

GF、ARM共同定义行动技术平台新标准

GLOBALFOUNDRIES与ARM日前于2010 MWC中，公布针对新一代无线产品及应用开发的尖端系统单芯片(SoC)平台全新细节资料。全新的芯片生产制造平台预估将提升40%运算效能、减低30%功耗，并在待机状态下增加100%的电池使用寿命。

此全新平台包括两种不同的GLOBALFOUNDRIES工艺整合：移动及消费性应用适用的28纳米超低功耗(SLP)工艺，及针对需要最高效能的应用开发的28纳米高效能(HP)工艺。

ARM与GLOBALFOUNDRIES的SoC平台采用ARM Cortex-A9处理器、最佳化ARM实体IP及GLOBALFOUNDRIES的28纳米闸极优先高介电质金属闸极(gate-first HKMG)工艺。此外，ARM及GLOBALFOUNDRIES将使智能型手机、smartbook、平板计算机等嵌入式装置的制造商有能力因应日益复杂的设计及生产制造过程，并缩短成熟量产的时间。GLOBALFOUNDRIES预估将于2010下半年于德国Dresden开始进行新一代技术的生产制造。

由于智能型移动产品市场加速成长，业界对移动应用产品效能的需求不断提升，以持续刺激市场创新。相较于前一代40/45纳米技术，GLOBALFOUNDRIES采用闸极优先高介电质金属闸极(gate-first HKMG)技术的28纳米工艺可达更显著的效能提升。

目前预估采用HKMG的28纳米技术在相同热度范围将提升40%的效能，以强化移动装置的应用效能及多任务处理能力。GLOBALFOUNDRIES目前可将此一技术迅速推出上市，提供客户受广泛采用的闸极优先HKMG技术。闸极优先技术获得多家全球大规模IDM厂及无晶圆厂设计公司的广泛支持。

各项新技术都需要提升功耗表现，以提供长时间通话/待机、多媒体播放及交互式游戏与绘图等功能。ARM IP与GLOBALFOUNDRIES 28纳米HKMG工艺的结合，将可提供较40/45纳米降低30%功耗的效能，并提升100%待机电池寿命。

ARM总裁Tudor Brown表示：“改采28纳米技术对无线技术而言是一重要转折点。ARM与GLOBALFOUNDRIES的合作将可提供客户大量实作的28纳米HKMG技术，以迅速推出高效能、低功耗的ARM架构设计产品。GLOBALFOUNDRIES技术、ARM领先业界的实体IP解决方案与ARM处理器提供之完整因特网功能的整合，将可展现强大的处理、绘图及功耗整合成果。”

除了与GLOBALFOUNDRIES合作外，ARM也与IBM Joint Development Alliance的其它成员建立策略合作关系，以开发采用HKMG工艺的最佳化处理器及实体IP。ARM于MWC展出采用HKMG技术开发的首款28纳米晶圆，以展现与晶圆厂合作伙伴进行前期合作，加速改采新一代SoC节点设计的优势。