英特尔7nm工艺首次使用 EUV 极紫外光刻工艺

由于自身的生产多次拖延，英特尔在短短两周内已经与台积电和三星谈判，将外包部分芯片生产。

知情人士说，英特尔可能从中国台湾采购的元件最早要到 2023 年才会上市，而且将基于台积电其他客户已经在使用的既定制造流程。而与代工能力落后于台积电的三星的谈判正处于更初级的阶段。

此前，英特尔的 CEO 斯旺（Bob Swan）向投资者承诺，当英特尔 1 月 21 日发布收益报告时，他将制定外包计划，让英特尔的生产技术重回正轨。这家世界上最著名的芯片制造商历来在先进制造技术方面引领行业，这对保持现代半导体性能增长的步伐至关重要。但该公司经历了长达数年的拖延，落后于那些自行设计芯片、并与台积电签约制造芯片的竞争对手。

斯旺在 10 月份的一次电话会议上表示：“我们将在 2022 年推出另一个伟大的产品系列，我对我们 2023 年产品在英特尔 7 纳米或外部铸造工艺，或两者兼用方面的领导地位越来越有信心。”

而台积电正准备提供采用 4 纳米工艺生产的英特尔芯片，初步测试使用的是较老的 5 纳米工艺。台积电是为其他公司生产半导体的最大制造商。该公司表示，将在 2021 年第四季度试产 4 纳米芯片，并在明年开始批量出货。台积电预计将在今年年底前在上海宝山投入运营一个新工厂，如有需要，该工厂可以转为英特尔的生产基地。台积电高管此前曾表示，新的宝山分公司将设有一个拥有 8000 名工程师的研究中心。

据此前爆料，英特尔 7nm 工艺是其首次使用 EUV 极紫外光刻工艺，有助于提升工艺微缩。对标台积电 5nm 工艺的产品，则是英特尔预计于 2021 年量产的 7nm 工艺，首发产品将是英特尔全新 Xe 架构的 GPU 加速卡，CPU 最快会在 2022 年推迟。

与 10nm 工艺相比，英特尔 7nm 实现晶体管密度翻倍，每瓦性能提升 20%，设计复杂度降低 4 倍。这是英特尔首次公布 7nm 工艺的具体细节，晶体管密度翻倍在意料之中，但每瓦性能提升 20%比预期低，也间接说明英特尔在 10nm 之后也遭遇到瓶颈。另外，英特尔没有提及能耗，但作为对比的 10nm 工艺，比 14nm 降低 60%的能耗或提升 25%的性能。

英特尔现阶段的服务器处理器采用 14nm 工艺的 Cascade Lake，主要增加 DL Boost 指令集加速 AI 性能;10nm 工艺的 Ice Lake 则采用 Sunny Cove 新底层架构，可实现 3x 倍无线速度、2 倍视频转码速度、2 倍图形性能、3 倍 AI 性能这些也是之前说过的了。Ice Lake 处理器增加 GFNI、SGX、PCFONFIG 等指令;下一代的 TIger Lake 会支持 CET 增强指令，Atom 处理器中的下代 Tremont 架构也会增加 SGX、GFNI 等指令集。
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