扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升开关和导通特性

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升开关和导通特性，可应用于电机驱动等领域。

一、 产品介绍

Split Gate Trench MOSFET 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET系列产品采用电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，全面提升器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）。

二、 产品特点

1、优异的开关特性和导通特性；

2、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性；

3、配合先进的封装技术，SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密度；

4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。

三、 电性参数

四、 应用领域

☆电机驱动（无人机，电动工具，散热风机等）

☆锂电保护电路

☆同步整流电路

☆基站、服务器用大功率电源