扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性,第1张

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性,可应用于电机驱动等领域。

一、 产品介绍

Split Gate Trench MOSFET 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET系列产品采用电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,全面提升器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻Rsp)和栅极电荷(Qg)。

二、 产品特点

1、优异的开关特性和导通特性;

2、更好的导通电阻温度特性,显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性;

3、配合先进的封装技术,SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密度;

4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。

三、 电性参数

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性,第2张

四、 应用领域

☆电机驱动(无人机,电动工具,散热风机等)

☆锂电保护电路

☆同步整流电路

☆基站、服务器用大功率电源

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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2460853.html

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