sram是什么，sram信息详解

　　SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小。

　　但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。

　　

　　sram规格

　　一种是置于cpu与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A STIck）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。

　　还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在PenTIum CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是PenTIum Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故PenTIum Pro的体积较大。

　　Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新 *** 作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。

　　sram基本特点

　　优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

　　缺点，集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

　　SRAM使用的系统：CPU与主存之间的高速缓存；CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存；CPU外部扩充用的COAST高速缓存；CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。

　　sram工作原理

　　假设准备往图2的6T存储单元写入“1”，先将某一组地址值输入到行、列译码器中，选中特定的单元，然后使写使能信号WE有效，将要写入的数据“1”通过写入电路变成“1”和“0”后分别加到选中单元的两条位线BL。

　　BLB上，此时选中单元的WL=1，晶体管N0，N5打开，把BL，BLB上的信号分别送到Q，QB点，从而使Q=1，QB=0，这样数据“1”就被锁存在晶体管P2，P3，N3，N4构成的锁存器中。

　　写入数据“0”的过程类似。SRAM的读过程以读“1”为例，通过译码器选中某列位线对BL，BLB进行预充电到电源电压VDD，预充电结束后，再通过行译码器选中某行，则某一存储单元被选中，由于其中存放的是“1”，则WL=1、Q=1、QB=0。

　　晶体管N4、N5导通，有电流经N4、N5到地，从而使BLB电位下降，BL、BLB间电位产生电压差，当电压差达到一定值后打开灵敏度放大器，对电压进行放大，再送到输出电路，读出数据。