今年半导体资本支出同比再增加 三星居榜首

近日，市调机构IC Insights统计指出，今年全球半导体资本支出将较去年再增加6%，预期三星、英特尔今年资本支出均年增逾两位数，台积电则减2%，使得台积电今年资本支出预估100亿美元，低于英特尔的120亿美元、退居第三位。

IC Insights统计，今年全球半导体资本支出将达723.05亿美元，其中，韩国三星今年资本支出居冠为125亿美元，年增11%;美国英特尔估为120亿美元，今年资本支出较去年大幅增加25%。台积电去年资本支出估约102.49亿美元新高，今年则是100亿美元，居于第三。

IC Insights统计中看出，前十大厂商有两家今年资本支出成长在两成以上，分别是英特尔的年增25%与格罗方德（GlobalFoundries）的33%。格罗方德去年资本支出大减62%，今年资本支出为20亿美元，且预计直接挑战7nm制程。

目前英特尔也在冲刺7nm制程。台积电更取得优势地位;董事长张忠谋2日表示，今年全球半导体市场会表现不错，预估将较去年成长4%-5%，台积电会优于产业成长率，预估今年台积电营收会有5%-10%成长，台积电的制程技术亦超越任何竞争者。

另外，DRAM市况持续看好，三星、海力士预估将增加资本支出11%与16%。另一家存储器厂美光，去年资本支出成长28%;美光去年底收购华亚科后，今年资本支出则年减13%为50亿美元。

此外，晶圆代工厂中芯去年资本支出大增87%，但今年预估资本支出年减12%为23亿美元。至于联电去年资本支出估达28.42亿美元新高，今年预估降3成至20亿美元。