三星计划明年资本支出预算提到1.5倍,欲想独霸DRAM和闪存市场

　　在内存市场上三星已经占据了大半的江山，据悉，明年三星还将继续在生产方面的资本支出预算提到1.5倍，是想进一步垄断DRAM和NAND闪存市场，可以说这是一场260亿美元的豪赌。

　　据外媒报道，经过50年的发展，半导体市场仍然显得非常活跃，它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺，这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因。

　　三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍，提高至260亿美元。相对而言，英特尔在2017年的资本支出预算仅为120亿美元，较2016年增长了25%。事实上，三星的预算约为2017年三家大公司英特尔、台积电和SK海力士的资本支出预算的总和。

　　三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉择。它们要么提高资本支出预算，保障足够的供应量，从而保有自己的市场份额，要么干脆放弃竞争，因为三星更高的产能将会产生别人难以企及的规模经济效应。

　　任何想要追赶三星的公司都面临着整个行业供给过剩、价格下滑以及亏损扩大的问题。半导体工厂必须全负荷运行，才能维持最低的成本，只要价格能够支付各种可变开支和固定成本，那就值得继续维持工厂运转。

　　但是，如果它们不增加预算，提高产能，那么它们就可能面临市场份额萎缩、成本增加并最终被淘汰出局的后果。不要指望英特尔和镁光的合资企业能够对抗三星。英特尔几十年前就退出了DRAM业务。

　　英特尔和镁光依靠其3D XPoint NVRAM（非易失性闪存）可能能够在DRAM和闪存市场上占有一席之地。但是，这一希望注定落空，因为它们决定将3D XPoint捆绑到英特尔CPU上。此外，三星可以从Crossbar或Nantero公司那里购买或获得授权使用与NVRAM竞争的技术。

　　对于消费者来说，一个利好的消息是：在未来12-18个月内，我们应该会看到更便宜的DRAM和NAND闪存出现。但是，从长远来看我们可能会看到三星垄断DRAM和NAND闪存生产，减缓价格下降速度以及遏制竞争