英特尔与美光联合开发新记忆体?

英特尔与美光联合开发新记忆体?,第1张

  日前英特尔Intel)与美光Micron)发表了号称是全新类别的记忆体技术,这是颇罕见的讯息;这两家公司在新闻稿上表示,他们一起开发的3D XPoint是“自1989年NAND快闪晶片推出以来的首个新记忆体类别”,而且其速度是非挥发性记忆体的1,000倍、密度则是DRAM的8~10 倍。

  但3D XPoint记忆体到底是什么其实不太清楚,根据EE TImes编辑Peter Clarke的报导,英特尔与美光对于该记忆体的材料结构或开关机制细节透露得很少,仅表示其开关机制是基于块状材料的电阻变化,而两家公司为3D XPoint记忆体“发明了独特的复合材料”。英特尔与美光提供的新闻资料,花比较多篇幅谈到连网装置数量的爆炸,以及各种数位服务产生大量的新资料,为 了要让那些资料发挥用途,它们必须要能快速地储存并进行分析。

  资料爆炸何时不曾发生?我从事科技报导至今已经快20年,总是听到资料量越来越多,而有变化的是那些资料会储存在哪里、将如何储存;我们对SAN、NAS的讨论,已经被传统硬碟机vs.固态硬碟(SSD)的话题取代,以及将有多 少资料会飞上“云端”。美光与英特尔也谈到了3D XPoint记忆体能藉由快速存取大量资料集,减少处理器在长程储存时接触资料所需时间;此外还有电脑玩家能因此享受到更短的下载时间。但这些都不是新的 概念。

  当然,半导体产业界的讯息总是会有某种程度的夸大──例如现在每款SSD产品发表,都是强调每日可处理多少读写次数──英特尔与美 光的联合声明,看起来就很像是智慧型手机那种消费性产品的新闻稿,很强调那些哗众取宠的数字,却对新记忆体技术原理细节着墨不多,但后者才是记忆体产业界 人士们真正想知道的。

  今年稍早我写了一篇关于三星(Samsung)新ePOP封装技术记忆体的文章,被很多希望看到更深入资讯的读者放 大检视;而我也继续向三星追踪讯息,尝试厘清该技术是否能达到如该公司所声称的性能,但三星不愿透露该公司是如何避免NAND快闪记忆体的温度升高到可能 导致故障的程度。

  英特尔与美光最终还是不愿意透露3D XPoint 这种记忆体技术的本质,因此也引来许多猜测;它有可能是内置了特选的二极体、以实现高密度元件结构的电阻式记忆体(ReRAM)吗?EE TImes的评论家们已经试图从有限的已发表资料中来分析…也许它是相变化记忆体(PCM)的变形?

  市场研究机构ObjecTIve Analysis首席分析师Jim Handy也在英特尔与美光新记忆体发表会的现场,并询问两家公司的代表,究竟3D XPoint最接近哪种记忆体?但他得到的回答是,目前市面上没有任何一种技术像3D XPoint那么成熟;“他们还是没有揭开神秘面纱;”Handy表示,英特尔与三星就是坚持3D XPoint不像任何一种过往技术:“根据他们提供的有限资料,我们也只好照着他们的话说。”

  就算它非常神秘,Handy表示3D Xpoint记忆体仍值得注意,但恐怕没有达到会让人从半夜惊醒的“突破”;各种替代性记忆体技术往往是希望能取代DRAM或NAND快闪记忆体,不过英 特尔与美光却表示,他们的新记忆体有自己的定位,而且不会让美光的3D NAND产品蓝图有变化。Handy认为:“它在记忆体阶层架构(memory hierarchy)中一定有个位置。”

  那如果3D Xpoint实际上是块状开关(bulk switching) ReRAM、或是PCM的变种呢?以现有技术创造一种新使用途径,其创新性就跟发明全新的技术是一样的,而且如果能听到ReRAM或PCM是如何被重新设 计才变身成英特尔与美光的3D Xpoint,会比听到他们是用了什么材料“秘方”或新制程技术来得更有趣。

  在英特尔与美光提供更多细节资料之前,我们对于3D Xpoint记忆体看来也只能继续猜测,除非等到采用该新记忆体技术的产品上市。




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