16nm还有10nm工艺，哪个更利于联发科提高芯片竞争力？

据报道，全球第二大手机芯片企业联发科在近日确定减少对台积电6月至8月约三分之一的订单，在当前的环境下是一个合适的选择，转而采用16nm FinFET工艺和10nm工艺可以更好的应对高通等芯片企业的竞争。

2016年联发科大卖的芯片是helio P10，当时中国大陆两大手机品牌OPPO和vivo大量采用该款芯片，在OV两家的出货量连续翻倍增长的情况下，联发科的出货量也节节攀升，甚至一度在中国大陆市场的份额超过高通，而helio P10正是采用台积电的28nm工艺。

去年三季度高通的中端芯片骁龙625转而采用三星的14nm FinFET工艺，先进工艺带来了更好的性能，特别重要的是降低了功耗。骁龙625是八核A53架构，在14nm FinFET工艺的支持下，表现出了优异的性能和功耗，据测试该款芯片在运行大型游戏等应用时候运行非常稳定。

高通的中高端芯片骁龙653则继续采用台积电的28nm工艺，骁龙653为四核A73+四核A53架构，A73本就是高性能高功耗的核心，骁龙653虽然较骁龙625有更高的性能，但是被发现出现一定的发热问题，在运行大型游戏时候会由于发热量太大性能迅速下降以保持芯片的正常运行。

 

 

在骁龙625的优异表现影响下，高通今年推出的中高端芯片骁龙653的继任者骁龙660已确定转而采用三星的14nm FinFET。在高通全面转向更先进的14nm FinFET工艺情况影响下，联发科理所应当放弃落后的28nm工艺。

不过联发科今年的错误在于它太过于激进，其高端芯片helio X30和中端芯片helio P35都直接跳过台积电的16nm FinFET转用最先进的10nm工艺，希望通过引入先进的工艺实现在中高端市场同时挑战高通的目标。

结果却因为台积电的10nm工艺并没能如期在去年底量产，正式量产后又遭遇了良率过低的问题被迫进行改进，这就导致了联发科的helio X30一再延期，如今中国大陆手机品牌普遍已放弃采用该芯片。联发科的helio P35如果能在二季度量产还能获得了一些中国大陆手机品牌采用，如果延迟到三季度投产的话那时候又要与苹果的A11处理器抢10nm工艺产能，从台积电一直优先照顾苹果的情况来看真到那时P35的量产必然又只得再延期了。

在这种情况下，偏偏联发科还遭遇了另一个问题，那就是中国移动早在2015年底就宣布要求手机厂商和芯片厂商要支持LTE Cat7以上技术，中国移动占有中国智能手机市场约六成市场份额，对智能手机市场有重要的影响力。联发科在helio X30和P35上市之前，其他手机芯片都只能最高支持LTE Cat6技术，这也是中国大陆手机品牌纷纷放弃联发科芯片的重要原因之一。

笔者认为，联发科在当下应该放弃10nm工艺，转而采用台积电的16nm FinFET或该工艺的改进版即12nm FinFET，这两项工艺技术成熟，产能充足，而在能效方面比三星的14nm FinFET更先进，同样有助于它与高通竞争，以迅速稳住当下正逐渐流失的中国大陆手机品牌客户。