反击Altera　赛灵思2014量产16纳米FPGA

　　赛灵思（Xilinx）将抢先在竞争对手Altera之前，发表16纳米鳍式场效电晶体（FinFET）现场可编程门阵列（FPGA）。面对Altera采用英特尔（Intel）14纳米三门极电晶体（Tri-gate Transistor）制程，并将于2016年量产14纳米FPGA的攻势，赛灵思于日前发动反击，将携手台积电采用16纳米FinFET制程，抢先于2014年推出新一代FPGA。

　　赛灵思总裁暨执行长Moshe Gavrielov表示，16纳米先进制程中的三维（3D）电晶体将能够让客户拥有更高效能、更低耗电的产品。赛灵思与台积电于16纳米制程的合作将延续双方过去在各项先进制程上所获得的成果。

　　值得一提的是，因着与赛灵思的合作，台积电也宣布将16纳米FinFET制程技术的生产时程提前，将于今年发布16纳米FinFET制程测试芯片，而首批FPGA产品将于2014年问世。反观英特尔则预计在2014年将第二代三门极电晶体技术导入14纳米制程，并用以量产新中央处理器（CPU）。

　　据了解，赛灵思与台积电将共同推动一项名为FinFast的专案计划，以台积电16纳米FinFET制程技术打造高速、低耗电、高效能的FPGA元件；双方投入所需资源组成专属研发团队，针对FinFET制程与赛灵思UltraScale架构共同进行最佳化。UltraScale为赛灵思全新的特定应用集成电路（ASIC）等级架构，能针对从20纳米平面式制程到16纳米以及更先进的FinFET制程进行微缩，亦可透过3D集成电路（IC）技术进行系统单芯片（SoC）的微缩。

　　Gavrielov指出，相较于前几个世代的制程，16纳米制程的技术复杂度高出许多，且将耗费赛灵思更多的研发成本。赛灵思在28纳米制程的研发投资为8亿美元，而先进制程的研发投资金额则至少为80亿美元。尽管如此，由于拥有先进制程技术的晶圆代工厂数量正不断增加，因此，在市场变化的带动下，投资数字大幅度跃进的情形将会有稍许的改善。此外，赛灵思为确保每个制程能具备成本效益，将花5年以上的时间设计产品，并将每项产品的生命周期延长到至少15年。

　　与此同时，赛灵思也将使用台积电的半导体整合生产技术--CoWoS（Chip on Wafer on Substrate），实现高端3D IC系统整合及系统级效能。