GLOBALFOUNDRIES为先进非易失性存储器技术设置新标准

（文章来源：EEWORLD）

无论是笔记本电脑的固态硬盘、物联网/汽车硬件、基于边缘的人工智能还是嵌入式非易失性内存(eNVM)，它们都是这些应用程序和许多其他应用程序的关键构件。实现这种能力的主要技术通常不是NOR flash (eFlash)，但是eFlash面临的一个问题是如何在28nm节点下经济地进行扩展。这就是为什么最近GLOBALFOUNDRIES (GF)的一份新闻稿引起了我的注意。

嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)是一个很复杂的概念。我做了一些研究，MRAM是在1974年问市，当时IBM开发了一种称为磁隧道结(MTJ)的组件。MRAM可以将SRAM的高速、DRAM的存储容量和eFlash在低功耗下的非挥发性结合起来，因此28nm以下技术的生产嵌入式实现是一件大事。

首先，介绍一下实现技术。22FDX是一款22nm全光敏光纤22FDX，采用GF的耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术。FD-SOI提供了接近FinFET的性能，而没有FinFET的设计和制造复杂性。

GLOBALFOUNDRIES高级副总裁兼汽车和工业多市场总经理Mike Hogan表示：“我们将继续致力于通过强大的、功能丰富的解决方案，使我们的FDX平台与众不同，这些解决方案使我们的客户能够为高性能和低功耗的应用程序开发创新产品。”“我们的差异化eMRAM,部署在该行业最先进的社平台，提供了一个独一无二的结合高性能射频，低功率逻辑和集成电源管理在一个容易积分eMRAM解决方案，使我们的客户能够提供新一代的超低功耗单片机和连接物联网应用程序。”

以了解了更多关于他们准备投产的eMRAM的细节。他介绍了一个非常严格的设备鉴定过程，包括6E-6范围内的误差率，5X焊料回流后的可靠数据保留，工业级和二级汽车应用的备用数据保留，以及多重磁抗测试。MarTIn:“22FDX与嵌入式MRAM是智能物联网(IIoT)，可穿戴设备，MCU和先进的汽车产品的一个使能技术平台。我们有一个像flash一样有资质的eMRAM制造流程和我们单一MRAM代工厂，以及多个客户端运行MRAM测试芯片和许多硅认证的MRAM宏(4Mb-48Mb)。

与其他eMRAM解决方案不同，我们构建的GFs 22FDX MRAM是eMRAM和Flashvery有很强的鲁棒性能，工作温度在-40C-125C，高耐久性和长数据保存期，并且通过了5项严格的实际(5x)焊料回流测试，同时保持了领先的磁抗能力。GF eMRAM与eFLASH非常相似——只是更好，与传统的嵌入式Flash技术相比，它具有更快的读写时间和更少的掩模计数。

他们正在与多家客户合作，计划在2020年使用22FDX的生产就绪的eMRAM新技术进行多台生产。GF在德国德累斯顿的第一工厂拥有最先进的300mm生产线，将为这些项目提供量产支持。他们还报告了定制的设计套件，包括嵌入式，范围从4兆到48兆比特的硅验证的MRAM宏，以及MRAM内置自测试支持的选项。

展望未来，作为公司高级eNVM路线图的一部分，GF希望其可扩展的eMRAM可以在FinFET和未来的FDX平台上使用。如果你需要一个低于28nm的eFlash选择，这绝对是值得考虑的。
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