韩国三星电子公司20日说,已经研制出全球最小DRAM芯片,将在全球率先量产。
这款芯片为第二代10纳米级8千兆字节DDR4DRAM。去年2月,三星电子实现第一代10纳米级DRAM芯片的量产。
三星介绍,第二代10纳米级DRAM产品采用超高速、超节电、超小型电路设计等最新工艺技术,较第一代10纳米级速度提高10%以上,耗电量节省15%以上,生产效率提高30%。
DRAM是动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
韩国三星电子公司20日说,已经研制出全球最小DRAM芯片,将在全球率先量产。
这款芯片为第二代10纳米级8千兆字节DDR4DRAM。去年2月,三星电子实现第一代10纳米级DRAM芯片的量产。
三星介绍,第二代10纳米级DRAM产品采用超高速、超节电、超小型电路设计等最新工艺技术,较第一代10纳米级速度提高10%以上,耗电量节省15%以上,生产效率提高30%。
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