恒忆与英特尔推动可扩展式大容量PCM产品开发

恒忆与英特尔推动可扩展式大容量PCM产品开发

相变存储(PCM)一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，恒忆 (Numonyx) 与英特尔(Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM 阵列的 64Mb 测试芯片，对于随机存取非易失性存储器及存储应用而言，这些发现有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存储装置。

      上述发现是 Numonyx 与 Intel 长久以来共同进行的一项研究计划的成果，该计划的目的着重于研究多层式或堆栈式 PCM 单元阵列。双方的研究人员如今已能够演示垂直一体化的存储单元 —— PCMS (相变存储及开关)。PCMS 包含一个 PCM 组件，此组件与全新使用的双向阈值开关 (OTS) 堆栈于真正的交叉点阵列中。这一能够堆栈 PCMS 阵列的能力可实现更高存储容量的可扩展性，同时维持 PCM 的效能特性，而这对于传统的内存技术而言则是巨大的挑战。

      Numonyx 资深技术研究员 Greg Atwood 表示：“这些研究成果具有相当光明的前景，显示了未来 PCM 产品可达到的更高容量、可扩展式阵列及类 NAND 使用模式等。由于传统的闪存技术面临某些实体限制和可靠性等问题，且存储产品在从手机到数据中心等应用中都有着日益增长的需求，这些成果更显得弥足珍贵。”

      Intel 研究员兼存储技术开发总监 Al Fazio 表示：“我们持续进行着内存技术的开发，希望借此提升计算平台的性能。我们对于这一里程碑式的研究成果感到相当振奋。PCMS 等内存技术在未来对于扩大存储器在计算解决方案中的重要性、提升性能和可扩展性将有着相当重要的意义。”

      存储单元是由堆栈存储组件及选择器所组成，并且具有多个组成存储阵列的单元。Numonyx 与 Intel 的研究人员已经能够部署薄膜双终端 OTS 做为选择器，以符合 PCM 扩展所需的实体及电特性要求。凭借薄膜 PCMS 的兼容性，如今已能够建立多层的交叉点存储阵列。一旦经过整合及嵌入真正的交叉点阵列后，多层阵列便可结合 CMOS 电路的解码、感知及逻辑功能。

      更多关于存储单元、交叉点阵列、实验及成果的信息将刊登于题为《堆栈式交叉点相变存储》的共同文件中，并将于 2009 年 12 月 9 日在美国马里兰州巴尔的摩举行的 2009 年国际电子器件会议 (InternaTInal Electron Devices MeeTIng) 上发表。此文件由 Numonyx 与 Intel 双方的技术人员合著，届时将由 Intel 资深首席工程师 DerChang Kau 发表。