现货推荐 | VishaySiliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET

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Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。SiR186LDP MOSFET具有超低RDS Qg品质因数 （FOM），经过调谐，可实现最低RDS Qoss FOM。Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道 60V （D-S） MOSFET非常适合用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关应用。

特性

• TrenchFET®第四代功率MOSFET
• 超低RDS - Qg品质因数 （FOM）
• 经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM
• 100%通过Rg和UIS测试

应用

• 同步整流
• 一次侧开关
• 直流/直流转换器
• 电机驱动开关

电路图

SIR186LDP-T1-RE3

MOSFET N-Channel 60-V （D-S） MOSFET PowerPAK SO-8， 4.4 mO @ 10V， 6.3 mO @ 4.5V

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

封装/箱体： PowerPAK SO-8

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60V

Id-连续漏极电流： 80.3A

Rds On-漏源导通电阻： 4.4mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： 20V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5V

Qg-栅极电荷： 31.5nC

最小工作温度： - 55℃

最大工作温度： + 150℃

Pd-功率耗散： 57W

通道模式： Enhancement

商标名： TrenchFET

封装： Cut Tape

封装： MouseReel

封装： Reel

配置： Single

晶体管类型： 1 N-Channel

正向跨导 - 最小值： 54S

下降时间： 6ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 6ns

工厂包装数量： 3000

子类别： MOSFETs

典型关闭延迟时间： 26ns

典型接通延迟时间： 11ns

SIR186LDP-T1-RE3

现货采购链接：https://www.yikuyi.com/product/r-83e4d19c4e810e6e.htm

Vishay / Siliconix SQW61N65EF汽车E系列功率MOSFET

Vishay / Siliconix SQW61N65EF汽车E系列功率MOSFET是采用汽车级E系列技术的单N沟道快速体二极管MOSFET。SQW61N65EF具有缩短的反向恢复时间，反向恢复电荷和反向恢复电流的功能。该器件还具有229nC的栅极电荷和0.045Ω的漏源导通状态电阻，因此具有超低的品质因数（FOM）。符合AEC-Q101标准的SQW61N65EF提供-55°C至+ 175°C的宽工作结温范围，使其非常适用于汽车应用。

Vishay / Siliconix SQW61N65EF汽车E系列功率MOSFET采用3引脚TO-247AD封装，符合RoHS要求且无卤素。

特征

符合AEC-Q101

采用汽车E级系列技术的快速体二极管MOSFET

T J时最大700V漏极-源极电压（V DS）

25°C时650V漏源电压（V DS）

±30V栅源电压（V GS）

0.045Ω漏源导通状态电阻（R DS（on））

229nC栅极电荷（Q g）

低品质因数（FOM）（R DS（on））x Q g

缩短了204ns的反向恢复时间（t rr）

1.9μC反向恢复电荷（Q rr）

18A反向恢复电流（I RRM）

7379pF的低输入电容（C iss）

由于减少了反向恢复电荷，因此开关损耗低

625W最大功率耗散（P d）

雪崩能量额定值（UIS）

-55°C至+ 175°C的工作结温和存储温度范围（T J，T stg）

3引脚TO-247AD封装

无卤素，无铅且符合RoHS

应用领域

汽车车载充电器

汽车DC-DC转换器

SQW61N65EF-GE3

MOSFET AutomoTIve E Series Power MOSFET with Fast Body Diode TO-247AD， 52 mO @ 10V

SQW61N65EF-GE3

现货查询链接：https://www.yikuyi.com/product/r-52b972bbf6b712c3.htm

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

封装/箱体： TO-247AD-3

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 650V

Id-连续漏极电流： 62A

Rds On-漏源导通电阻： 52mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： -30V， +30V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4V

Qg-栅极电荷： 229nC

最小工作温度： -55℃

最大工作温度： +175℃

Pd-功率耗散： 625W

通道模式： Enhancement

封装： Cut Tape

封装： Reel

配置： Single

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： AutomoTIve E Series Power MOSFET With Fast Body Diode

下降时间： 102ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 107ns

工厂包装数量： 480

子类别： MOSFETs

典型关闭延迟时间： 252ns

典型接通延迟时间： 65ns

单位重量： 6g

内部电路和典型输出

开关时间测试电路

栅极电荷测试电路

包装大纲