国产芯片兴起，单要打破美日韩的垄断局面还需时间

受中美竞争特别是中兴事件的影响，国内对芯片的重视程度被进一步拔高，而在存储芯片方面随着三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫和福建晋华的快速推进让人看到中国存储芯片企业有机会打破当前由美日韩企业垄断的局面，不过要打破这一局面还需要时间。

美日韩垄断存储芯片市场

存储芯片主要分为两种，分别是DRAM和NAND flash，在我们日常见到的产品中分别是PC用的DRAM内存条和SSD硬盘，这两类产品在各个行业都有广泛的应用，而且随着各个产业的发展这两类产品的重要性正日益凸显，这也导致存储芯片价格自2016年以来持续上涨，并推动全球最大的存储芯片企业三星在半导体市场击败Intel首次夺取了全球最大半导体企业的位置。

在DRAM芯片市场，份额主要由三星、SK海力士和镁光占有，它们分别占据该市场的份额为44．5％、27．9％、22．9％，三家合计占有全球DRAM市场份额约95．3％，中国台湾的华亚科等占有少量的市场份额。

在NAND flash市场，主要有六大企业，分别是三星、东芝、西部数据、镁光、SK海力士、Intel，市场份额分别为37．0％、18．0％、16．6％、12．1％、9．9％、5．9％，六家合计占有超过99％的市场份额。

在DRAM和NAND flash市场，韩国企业都呈现强势的地位，特别是三星由于占据优势的市场地位，它成为这两年存储芯片价格上涨的最大获益者，获利丰厚的它正通过加大投入保持自己在技术上的领先优势，这又反过来进一步巩固它的市场份额优势。Intel在NAND flash市场则通过与镁光研发的3d xpoint存储技术给市场带来较大的影响，这也成为推动它市场份额提升的主要动力。

中国存储芯片企业的进展

在国产三大存储芯片企业当中，长江存储的投资规模最大，据报道指它的总投资将高达240亿美元，目前长江存储的NAND flash芯片工厂已开始搬进生产设备，预计在年底就将投产。长江存储的野心并不止于NAND flash，它也有意投资DRAM，未来或将进入这个行业。

合肥长鑫和福建晋华投资生产DRAM。合肥长鑫的进展要快一些，当前它的DRAM芯片工厂已搬进生产设备，预计年底就将投入生产；福建晋华的DRAM工厂预计下个月搬进生产设备，不过它在生产进度方面则较快，表示也争取今年内投产。

中国三大存储芯片企业的技术人才主要来自日本、韩国和中国台湾，长江存储的COO高启全是前华亚科董事长，日本存储芯片企业尔必达倒闭之后其部分人才进入了合肥长鑫，合肥长鑫还挖来华亚科前资深副总刘大维，福建晋华则通过与中国台湾的联华电子合作获得DRAM技术。

打破美日韩的垄断局面尚需时间

中国存储芯片企业在技术方面还落后于美日韩的企业。长江存储预计年底投产的NAND flash芯片是32层技术，而国外的企业已投产64层技术，当前国产存储芯片企业正积极推进96层技术预计在明年投产。

在DRAM技术方面，三星正推进18nm工艺的生产技术，合肥长鑫和福建晋华的起点较高预计投产时就将采用19nm工艺，显示出这两家存储芯片企业意欲一进入市场就要以较高的技术争取国内的客户支持。

中国是全球最大的制造国，购买的存储芯片占全球存储芯片市场的比例约两成左右，如此庞大的市场对低端存储芯片同样有巨大的需求，这有利于国产存储芯片企业的发展。不过国产存储芯片企业在投产后还将面临技术改进、良率提升的问题，它们能否如期进入大规模投产是它们面临的下一个难题；同时存储芯片价格存在周期性，当前高涨的价格能持续多久是个问题，如果中国存储芯片企业投产后价格出现大幅下降将导致它们面临盈利难题。

不过无论如何中国存储芯片企业的努力将为中国制造业降低成本提高有利条件，从此前的液晶面板等产业可以看出，随着中国产业链实力的增强国外的产业链才会给予中国品牌企业更多支持和价格优惠，在产能供应方面也更有保证，中国应该坚定不移的支持存储芯片产业的发展。