上电时实现延时系统复位的IC

上电时实现延时系统复位的IC,第1张

通过给晶体管增加一些电容二极管电阻,使用保持时间可调的复位IC,将纯手动复位转换为自动复位。

  在大多数应用中,上电时实现延时系统复位的IC,第2张(手动复位)引脚通常与开关相连,为管理芯片制造手动复位信号。随后,在预先设定的有效延时时间后,其从低电平有效复位回到高电平状态。手动复位适用于大多数应用;然而,它需要人为干涉产生复位信号。在一些应用中,手动复位存在争议,因为系统每次上电时都要执行。

  更进一步,包括嵌入式处理器在内的应用需要复位输出为保持高电平——也就是说,非有效——在应用复位或低有效之前的某个时期。如图1电路在设备上电时无需按下复位键的情况下,被证实是有效的,因为在复位的低信号到来之前,复位自动以预先设定的保持时间发生。

上电时实现延时系统复位的IC,上电时实现延时系统复位的IC,第3张

  电路使用带上电时实现延时系统复位的IC,第2张引脚和低有效输出上电时实现延时系统复位的IC,第5张的复位管理芯片。通常上电时实现延时系统复位的IC,第2张输入的内部上拉电阻为20到50kΩ。上电期间,上电时实现延时系统复位的IC,第2张内部电阻将电容C1充电到正向最大值VDD。为管理芯片产生上电时实现延时系统复位的IC,第2张复位输入,其上电时实现延时系统复位的IC,第2张输入必须接收低有效的地信号,需要晶体管Q1导通。这个导通的时间长度取决于R1和C2的RC时间常数。这两个器件决定Q1什么时候导通,从而为上电时实现延时系统复位的IC,第5张输出提供保持时间可调的高电平。为增加保持时间,增加R1和C2的RC时

 

间常数即可。

  复位管理芯片只在上电时实现延时系统复位的IC,第2张管脚的电压超过触发阈值电压和管理器内部复位周期结束时,产生上电时实现延时系统复位的IC,第5张输出。这个延时时间滤除了所有输入电压的毛刺。因为Q1的导通,使C1的负向变为地。而C1的正向不能立即改变极性,其被拉低并通过上电时实现延时系统复位的IC,第2张输入的内部上拉电阻,缓慢的再次充电。当达到复位芯片的阈值电压时,一旦达到芯片的延时时间便输出复位信号。C1的选择并不严格。然而,它的值应该尽量大——例如0.1到10µF——使C1和内部上拉电阻所得的RC时间常数足够大。这个值确保C1在上电时实现延时系统复位的IC,第2张引脚上保持了至少1us的低电平。

  C2充电到Q1的偏置电压后,晶体管仍然导通。在下一次上电或手动按键复位电路时,晶体管C2放电。这个动作一旦发生,Q1关闭。R1将C1的负向充电到供电电压VDD。因为电容C1的正向不能立即改变,其表现为充电到2VDD。然而,保护二极管D1将C1的电压箝位到仅为VDD加上二极管的导通电压。一旦C2充电足够使Q1再次导通时,重复循环。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2517799.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-05
下一篇 2022-08-05

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存