Xilinx复位信号设计原则

Xilinx复位信号设计原则,第1张

复位信号设计的原则是尽量不包含不需要的复位信号,如果需要,考虑使用局部复位和同步复位。

复位信号根据是否同步,高电平还是低电平使能,复位后的信号为高电平还是低电平可以有多种组合:

异步低电平复位

异步低电平置位

异步高电平复位

。。。

每种情况会被综合出不同的硬件电路,而在Xilinx内部则有4种寄存器可用于实现

FDCE

FDPE

FDRE

FDSE

FD即寄存器,E则是带时钟使能,而

C - clear  异步清零

P - preset  异步置位

R - reset  同步复位

S - set  同步置位

以上4中寄存器都是高电平使能,所以在使用Xilinx时要做高电平复位

Xilinx推荐少使用复位并在必要时使用同步复位,考虑通常使用复位信号来给寄存器赋初值的情况,GSR可以解决这个问题,GSR会在上电初始化时初始化内部所有有记忆功能的单元,除FDPE和FDSE会将寄存器初始化为高电平外,Xilinx FPGA会将内部其他单元初始化为0

基于以上的了解,FDRE应该是最佳的复位方案,但在验证我的想法时,我发现预期之外的结果,比如一下的同步高电平复位代码
 

module test(
    input             clk            ,
    input            clr            ,
    input            din            ,
    output reg        sync_high_set
    );
        
    reg    rst    ;
    
    always @(posedge clk)
        rst <= clr;

    // synchronous reset
    always @(posedge clk) begin
        if(rst)
            sync_high_set <= 0;
        else
            sync_high_set <= din;
    end
    
endmodule

综合出来确实如下的电路

虽然逻辑结果时一样,但这正好与我们的初衷相反,即我们本来是像优化电路,它却使用了更多的不必要的逻辑资源,有两种方法可以达到我们要的效果,

将综合设置里的参数 -control_set_opt_threshold 设置为0

在代码中添加 (* direct_reset = "yes" *)

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2520833.html

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