高通在 2016 年 11 月的时候,神速发布了骁龙 835 处理器。
不过当时,高通并没有公布多少骁龙 835 的细节,只知道“这款处理器是和三星联合开发的,用上三星 10nm 的制程,全新升级的 QC 4.0 快充将会比上一代 3.0 快充快 20%。骁龙 835 体积将会缩小 30% 以上,同时还能降低 40% 的功耗并提升 27% 的性能。”
近日,据 Video Cardz 高通终于公布了骁龙 835 的细节。
除了 10nm 制程,这款处理器 CPU 采用 4×2.45GHz 大核+4×1.9GHz 小核,八核心设计,均为 Kryo 架构,其 GPU 为 Adreno 540。处理器支持 4K 屏幕、UFS 2.1、双镜头,以及 LPDDR4x 四通道内存。其基频为 X16,支持 Cat.16。
而关于这款处理器的性能,之前 GeekBench 4.0 已经曝光了疑似骁龙 835 的跑分成绩。
这款设备型号显示为 EssenTIal FIH-PM1,可能是工程测试机。 GeekBench 显示处理器为八核心,时脉为 1.9GHz、RAM 4GB、预装 Android 7.0 系统。之所以说这是骁龙 835 是因为 ARM implementer 81 是高通独家的 Kryo 核心识别码。
此次的单核心跑分 1,844,多核心跑分 5,426(仅供参考),单核心基本和骁龙 821(一加手机 3T)、麒麟 960(华为 Mate 9 Pro)一致,但虽然为八核,不如目前正值巅峰的麒麟 960。
在细节得分中,内存延迟和频宽得分都非常高,甚至超过了麒麟 960,可能与用上 LPDDR4X 有关。
骁龙 835 早已投入生产,而搭载骁龙 835 的设备将会在 2017 年上半年问世,那么首发的是三星 S8 呢,还是传闻中的小米新机呢?
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