2010年NAND Flash价格发展持续两极化

2010年NAND Flash价格发展持续两极化

　　NAND Flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple- Level Cell)成为市场的价格杀手，但高容量产品新增产能又相当有限，因此2010年NAND Flash价格发展持续两极化。

　　近期NAND Flash现货价和合约价都有止跌的迹象，1月下旬NAND Flash合约价持平开出，在高容量32Gb和64Gb芯片方面，由于上游NAND Flash大厂的产出有限，因此合约价出现平盘到小涨3%幅度，也预告2010年NAND Flash市场发展逐渐朝两极化进行。

　　NAND Flash业者指出，农历春节前的大陆客户买盘陆续出笼，针对小型记忆卡等产品进行补货，期望1月底的补货效应会更加明显，但整个市场仍在等待系统大厂的回补行情发动，尤其是苹果的补货效应，以及新产品平板计算机iSlate采用高容量NAND Flash芯片，都令市场期待甚深。

　　2010 年NAND Flash市场进入30奈米制程世代，三星电子(Samsung Electronics) 由42奈米进入32奈米制程、海力士(Hynix)由41奈米进入32奈米制程、东芝(Toshiba)由43奈米进入32奈米制程，美光 (Micron)和英特尔(Intel)阵营2009年已领先进入30奈米世代，2010年则是要进入20奈米世代，显示各阵营在制程微缩上相当积极。

　　模块厂认为，其实2010年NAND Flash产业不用扩增产能，但单靠制程微缩技术，产出即增加不少。

　　同时，2010年三星和东芝也进入TLC芯片技术，成本结构大幅下降，但也造成NAND Flash低容量的芯片价格持续下滑。NAND Flash业者表示，2010年NAND Flash芯片价格是两极化发展，低价芯片在TLC世代下会更便宜，但高阶芯片则在系统大厂、手机应用等带动下，价格会相对持稳。

　　2010年下游厂认为，2009年NAND Flash芯片价格涨上来后，一直维持高档盘旋，2010年在制程微缩和TLC芯片出笼下，NAND Flash价格波动会较大，尤其传统淡季和旺季价格会相当明显，因此在 *** 作上需要更加小心。