国内存储芯片明年有望占据全球 5% 即将迎来重大的突破

中国的技术自给自足之路正处于重大突破的边缘，新生的芯片产业有望在 2020 年底之前从去年的几乎为零的产量增长到世界 5％的存储芯片生产。

过去几年，将人工智能作为战略重点的中国政府已投入数十亿美元去建设半导体行业。由于中美贸易战关系，美国禁止中国使用美国的某些技术，比如可用于军事和安全设备的存储芯片，加强中国自身的硬实力显得更加紧迫。

中国以前从未生产过 NAND 闪存和 DRAM 芯片，当前，全球产出的 NAND 和 DRAM 芯片大约是每月 130 万片 / 每种。这两市场都由美国、韩国和日本制造商如三星、SK 海力士、美光和 Kioxia 铠侠（前身为东芝存储）等主导。

业内人士表示，目前 NAND 与 DRAM 芯片在中国都是小规模生产，但质量正在提高，预计到明年，中国存储器业将逐步扩大产量。

据了解，生产 NAND 闪存芯片的长江存储预计到明年年底，该公司晶圆产量将增加两倍，达到每月 6 万片，占全球产量的 5%。与此同时，长鑫存储预计到 2020 年，该公司 DRAM 芯片的产量将增加三倍，达到每月 4 万片，占全球 DRAM 产量的 3%。

消息人士称，长江存储的 NAND 闪存芯片已经从一些国际和国内旗舰公司（例如联想）那里收到订单，联想计划在其计算机上安装这些芯片，以供本地使用和出口。

伯恩斯坦研究公司（Bernstein Research）资深半导体分析师 Mark Li 表示：“未来 12 个月将是关键时期。当这些内存产品在市场上广泛使用时，或将面临一系列知识产权问题。”

台湾经济研究所半导体行业分析师 Arisa Liu 表示，中国的存储器厂商以新来者面孔站上世界舞台将面临许多挑战和不确定性，为降低中国对国外技术的依赖，中国政府也在大力支持和推进。尽管如此，中国仍需大约 3 年时间，才能开始缩小与市场领军者之间的技术差距。