长江存储计划在明年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片

据报道，紫光投资的长江存储传来新动态。

CEO杨士宁博士透露，公司计划在明年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。

资料显示，今年4月份，长江存储在武汉的工厂开始设备安装，今年晚些时候投产32层3D闪存。杨士宁表示，32层产品非常成熟，已经开始少量接单。

不过，从成本和市场接纳度来看，64层的竞争力更强，长江存储也将投入更多的精力在这一代上。关键技术方面，长江将引入全新3D NAND架构Xtacking，即在一片晶圆上独立加工负责数据I／O及记忆单元 *** 作的外围电路，从而将I／O速度提升到3Gbps。

要知道，目前世界上最快的3D NAND I／O速度的目标值是1．4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1．0 Gbps或更低的速度。

长江存储希望在64层3D闪存量产后，公司的毛利率可以转正，届时月产能预计10万片。