三星推出闪存更快功耗更低的V-NAND存储器

三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。与三星的上一代V-NAND相比，新内存的延迟降低了10％，功耗降低了15％。

三星的第六代V-NAND可提供高达136层以及charge trap flash（CTF）。新内存使用一个堆栈，并且不使用字符串堆叠等技术来构建超过100个层。为了确保最小的错误和低延迟，三星不得不使用新的速度优化电路设计。后者使新的3D TLC 256千兆芯片提供低于450微秒（μS）延迟用于写 *** 作和低于45微秒用于读 *** 作，相比于5时，这是10％的速度次上代V-NAND。同时，最新的V-NAND功耗也低于其前代产品。

值得注意的是，新的256 Gb 136层V-NAND器件使用6.7亿个孔，低于上一代的9.3亿个孔，这意味着新芯片需要更少的工艺步骤并且更容易制造。重要的是，三星计划将其采用速度优化电路设计的136层架构用于构建超过300层的V-NAND器件，方法是将三个电流堆叠安装在彼此之上（从而使芯片容量增加三倍）。

该公告显示，在业务前景黯淡的情况下，三星强有力地巩固其领导地位。该芯片制造商一直在努力应对内存芯片价格下跌以及日本对韩国主要高科技材料的前所未有的贸易限制。

三星表示：“三星的第六代V-NAND具有业界最快的数据传输速率，利用该公司独特的制造优势，将3D内存提升到新的高度。”利用其channel hole etching技术，与第五代V-NAND相比，新型V-NAND的单元数量增加了40％。较高的堆栈往往更容易受到错误和读取延迟的影响，但三星通过应用速度优化的电路设计克服了这些限制。

最初，三星将提供256 Gb 3D TLC 136层V-NAND设备，这些设备将首先用于三星的250 GB SSD。今年晚些时候，三星打算发布512 Gb 136层V-NAND设备，这些设备将用于其他驱动器以及eUFS存储解决方案。说到256 GB 6 次创V-NAND SSD，它指出，它采用了三星的标记为S4LR030 / S94G4MW2新的控制是非常重要的。

三星补充计划为移动设备，企业服务器和汽车市场应用部署新的V-NAND闪存芯片，以保持其技术领先地位。为了更好地满足客户公司的需求，三星计划在京畿道的平泽工厂扩大第六代V-NAND产品的生产。