ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(

ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第1张

ML4835复合PFC/CFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(下)

3?4灯管寿命的终止

当发射材料耗尽,即灯管寿命终止时,灯弧电流经整流在灯管耗尽的阴极附近产生高压。此时镇流器充当了恒流源,因此功率耗散汇集在衰竭的阴极附近,它会导致拉电弧并使管壳破裂。小型荧光灯管更容易破裂和碎损,是由于它的直径小而不能像大号灯管易散热。小型荧光灯也出现更多的安全隐患,是因为它们通常用在向下照明系统而没有反射罩盖。3?5灯管寿命终止(EOL)和ML4835

在ML4835内采用了一种代表直流电压产生的电路,它经倒相器向灯管供电。当该电压超过内部门限电平时,ML4835就利用它来闭锁镇流器。可以用一只外部电阻器作为灯管寿命的“EOL封闭电阻器”,以设置功率能级的跳闸点,见典型应用电路图14中的R9。有关详细分析可查阅Micro?Liner公司的用户指南、ML4835的应用注意内容。图6〔见上期本文(上)〕是灯管寿命终止EOL功能的简化模型。

3?6镇流器输出电路

IC芯片经非重迭传导的频率调制,控制向灯管输出功率。这就是指明在振荡器电容CT处于放电时间tDIS期间,两路镇流器输出驱动器都将是低电平值。另外,用ML4835及外围电路可实现20∶1的调光荧光灯照明系统。

3?7振荡器电路

压控振荡器(VCO)的频率范围,是受LFB(灯管反馈输入)放大器输出端电阻RSET控制的。当灯管电流减小时,LFBOUT输出端的电压降低,这引起CT充电电流增大,因此造成振荡器的频率升高。由于镇流器的输出网络会衰减高频分量,从而减小了送往灯管的功率。振荡器的频率可由如下方程式确定:ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第2张fOSC=(4)

以及ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第3张tCHG=RTCTln(5)

当ICHG=0时,振荡器的最低频率设置在:ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第4张fMIN?(6)

振荡器的起始频率可由下式表达:ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第5张fSTART=(7)

上述两个方程式均假设tCHG?tDIS。

当LFBOUT为高电平时,ICHG=0,并且振荡频率

 ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第6张

图10振荡器的电路方框和定时波形(原图,未做格式化处理)

 ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第7张

图11典型的VCC与ICC波形:当ML4835由泄放电阻器起动

时,从辅助绕组测量的整流交流线路和自举电路波形

(原图,未做格式化处理)

最低。充电电流按两控制输入端发生变化:一是预热定时器的输出电压;二是LFBOUT电压值(即灯管反馈放大器输出电压)。在预热条件下,充电电流固定在:ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第8张ICHG(PREHEAT)=(8)

在运行模式下充电电流减小,而LAMPFB放大器电压从0V升到VOH。

可由下式来表达充电电流的特性:ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第9张ICHG=(9)

当ICHG为最高值时,振荡频率达到最高值,它是在电压LFBOUT=0V时得到的:ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第10张ICHG(0)=(10)

±25%

ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第11张

图12灯管预热和中断定时器(原图,未做格式化处理)

当LFBOUT脚电压是它的最大输出电压值VOH时,灯管达到最大的功率和最低的输出频率。在这种条件下,镇流器的最低工作频率由式(6)设置。

为了按更高Q值输出网络在可调光镇流器中有效使用IC?ML4835,可以选用较大的CT值和较低的RT值,以产生控制范围之外的较小频率偏移(改变LFBOUT脚电压)。放电电流设置在5?5mA。若假定IDIS?IRT,则有:

tDIS(VCO)?600×CT(11)

3.8IC偏置电压、欠压锁定和热关断

在ML4835中还有一个并联箝位电路,它把VCC电压限制在15V(即VCCZ)。IC偏置电压通常由镇流器的变压器辅助绕组提供,它应由一个受限电流源馈送。当VCC低于(VCCZ-1.1V)时,IC吸取的静态电流小于0.55mA,并且关闭IC输出。这就允许IC起动时使用一只“泄放电阻器”,它接整流后的交流线电路。

为了降低镇流器成本,ML4835还包含一个温度传感器,如果IC的结温超过了130℃,它将阻止镇流器工作。为了用这个传感器代替外部的传感装置,当放置芯片时应该特别注意保证它传感的温度在物理上是镇流器恰当点的数值。

ML4835芯片的温度可由下式来估算:

Tj=TA+(PD×65℃/W)(12)

3.9起动、再起动、预热和中断

在ML4835中设计的灯管起动状况执行电路,目的是让灯管的寿命尽量长久,同时在灯管正常输出条件期间让镇流器发热最低。图12中的电路能控制灯管的起动过程:灯丝的预热和灯管输出的中断。

Cx的充电电流是(IR(SET)/4),它经Rx放电。当功率增大时,Cx上的电压复原到0?7V(VBE)。Cx上电压升到4?75V的时间,则是灯丝预热的时间。在预热期间振荡器的充电电流ICHG=2.5/RSET。这将产生预热灯丝的高频信号,但不会产生足够的电压来点亮灯管,也不会产生有效的发光电流。

在阴极预热之后,倒相器的频率降到fSTART,它产生的高电压值点亮了灯管。如果当灯管已点亮时,没有检测到灯管电流,那么在Cx经Rx放电到1?25V门限电平之前,Cx的充电电流被阻断,并且倒相器也被阻止工作。在这种状态下关断倒相器,就能在灯管未能放电发光或者脱离管座时,防止倒相器引起过热。典型应用时选用高阻值Rx,可使这一时间设置得相当长。

直到INTERRUPT高于1?25V之前,可忽略振荡器的LFBOUT。在Cx脚的电压被箝位在约7?5V。应该注意到如果不能让VCCZ箝位导通,就不能耗散IC中过多的功率。这将在较低的环境温度时,激活温度传感器。在各种工作状态下的工作频率概况列在表3中。ML4835可用于T4小型荧光、IECT8(线型灯)、T5线性灯、T12线型灯等。

表3三种工作状态下的频率 工作状态 工作频率 预热时 fMAX~fMIN2 预热之后 fSTART 调光控制时 fMIN~fMAX 4镇流器在房屋建筑中调光照明的应用

4?1典型应用电路

三种可调光与不可调光的镇流器在房屋建筑中照明应用电路,如图14、图15和图16所示。

4?2电路元器件明细

(1)图15电子镇流器电路元器件明细见表4。

(2)图15调光控制接口电路元器件明细见表5。

ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第12张

图13灯管起动和再起动定时(原图,未做格式化处理)

ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第13张

图15镇流器在房屋建筑中向下照明的应用电路(之二)(原图,未做格式化处理)

ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第14张

图14镇流器在房屋建筑中调光照明的应用电路(之一)(原图,未做格式化处理)

表4图15应用电路电子元器件明细

ML4835复合PFCCFL小型荧光灯电子调光镇流控制器(,第15张

图16(不可调光的)镇流器在房屋建筑中向下照明的应用电路(之三)(原图,未做格式化处理)   R1 0.33Ω,1/2W,5%,金属膜电阻 R2 750Ω,1/4W,5%,炭膜电阻 R3 820Ω,1/4W,5%,炭膜电阻 R4 62kΩ,1/4W,5%,炭膜电阻 R5 (不用) R6,R7 432kΩ,1/4W,1%,金属膜电阻 R8 5.76kΩ,1/4W,1%,金属膜电阻 R9 4.3Ω,1/2W,5%,炭膜电阻 R10 30Ω,1/4W,5%,炭膜电阻 R11,R12 150Ω,1/4W,5%,炭膜电阻 R13 1.0kΩ,1/4W,5%,炭膜电阻 R14 22.6kΩ,1/4W,1%,金属膜电阻 R15 681kΩ,1/4W,1%金属膜电阻 R16 10.0kΩ,1/4W,1%,金属膜电阻 R17 20kΩ,1/4W,5%,炭膜电阻 R18 8.06kΩ,1/4W,1%,金属膜电阻 R19 15.4kΩ,1/4W,1%,金属膜电阻 R20 安装跨接线 R21 42.2kΩ,1/4W,1%,金属膜电阻 R22 360kΩ,1/4W,5%,炭膜电阻 R23 200kΩ,1/4W,5%,炭膜电阻 R24 20kΩ,1/4W,5%,炭膜电阻 R25 100Ω,1/4W,5%,炭膜电阻 R26 5kΩ电位器 二极管: D1?D4,D8 1A,600V,1N4005或1N5061 D5,D6 1N4001,1A,50V~70V D7 BYV26C,1A,600V,超快二极管 D9,D10,D12,D14,D16,D17,D18 1N4148,0.1A,75V,信号二极管 D11 1N5245B,15V,1/2W,齐纳二极管 D13 1N5235B,5.6V,1/2W,齐纳二极管 D15,D19 1N4937,1A,600V,快恢复二极管 电容器: C1,C2 3.3nF,250VAC,10%,“Y”型电容器 C3 0.15μF,250VAC,10%,“X”型电容器 C4 33nF,63V,10%,陶瓷电容器 C5,C6 0.1μF,50V,5%,聚酯薄膜电容器 C7 100μF,25V,20%,电解电容器 C8 47μF,450V,20%,电解电容器 C9 1.0μF,50V,20%,陶瓷电容器 C10,C12 0.33μF,250V,10%,聚酯薄膜电容器 C11 6800pF,2000V,5%,聚丙烯电容器 C13 2700pF,2000V,5%,聚丙烯电容器 C14 0.015μF,250V,5%,聚丙烯电容器 C15 1.0μF,50V,20%,电解电容器 C16 82nF,50VDC,10%,陶瓷电容器 C17 8.2nF,50V,10%,陶瓷电容器 C18 1.5nF,50V,10%,陶瓷电容器 C19 1.5μF,50V,20%,陶瓷电容器 C20 1.5nF,50V,2.5%,NPO陶瓷电容器 C21 15μF,16V,20%,电解电容器 C22 0.47μF,50V,20%,陶瓷电容器 C23 6.8μF,16V,20%,电解电容器 C24 470pF,50V,5%,陶瓷电容器 C25,C27 0.22μF,50V,10%,陶瓷电容器 C26 47μF,16V,20%,电解电容器 C28,C30 120pF,1kV,10%,陶瓷电容器 C29 100pF,100V,5%,陶瓷电容器 三极管: Q1 1RF830,4.5A,500V,功率MOSFET Q2,Q3Ref.#5460001 1RF820,2.5A,500V,功率MOSFET 集成电路:ML4835电子镇流控制器

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