一、芯片介绍
二、产品应用
三、产品特点
● 内置650V MOSFET;
● 内置高压启动;
● 高精度恒流恒压控制;
● 无需补偿电容;
● 可调节线损补偿;
● 低启动电流;
● 可调节输出电压电流;
● 满足75mW 待机标准;
● 前沿消隐;
● 逐周期限流;
● 欠压锁定、输出短路保护、输出过压保护、VCC过压保护、最大导通时间保护、过温保护。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
一、芯片介绍
二、产品应用
三、产品特点
● 内置650V MOSFET;
● 内置高压启动;
● 高精度恒流恒压控制;
● 无需补偿电容;
● 可调节线损补偿;
● 低启动电流;
● 可调节输出电压电流;
● 满足75mW 待机标准;
● 前沿消隐;
● 逐周期限流;
● 欠压锁定、输出短路保护、输出过压保护、VCC过压保护、最大导通时间保护、过温保护。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)