IBM研发出记忆储存新技术

IBM研发出记忆储存新技术,第1张

 

  IBM (IBM-US) 研究员研发出记忆储存新技术,可更可靠地长时间在服务器上储存数据。

  此技术称为相变化内存 (phase-change memory),简称 PCM 内存,可取代闪存,闪存在移动设备尚的使用程度相当热门,但在高阶企业基础设施等却有所限制。

  IBM 周赐表示,已研发出一种 PCM 芯片,与其他 PCM 芯片相比,此款可有效让设备记忆容量翻升一倍,但错误率却仍旧维持低档。一般 PCM 芯片若长时间储存数据可能出现一些问题。

  独立研究分析师 Claus Egge 表示:“PCM 芯片的一大问题就是信赖程度,如果你储存东西的时间太久,就得排除很多错误才能叫回档案。”

  IBM 表示,此回改善的 PCM 芯片是成本较低、速度较快且更加耐用的内存,可用在消费性设备和数据中心产品。IBM 可能授权此技术,而不是靠自己制造 PCM。IBM 每年自授权技术的业务,收入约莫 10 亿美元。

  IBM 预期大概 5 年的时间,自家设计的 PCM 芯片就会应用至伺服器和云端储存等的产品上,但现在判定 PCM 适用什么市场言之过早了。

  IBM 预期,就速度和耐久度而言,PCM 可成为跨越闪存和 DRAM 内存之间差距的桥梁,虽然 PCM 速度无法跟上 DRAM,但读取和写入数据速度却是闪存 100 倍。PCM 也较耐用,写入循环达 1000 万次,高于闪存的 3 万次。

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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2573768.html

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