Diodes针对VoIP应用优化的全新MOSFET，可极大降

Diodes针对VoIP应用优化的全新MOSFET，可极大降低成本

Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。

两款新器件的击穿电压（BVDSS）分别为150V及200V，能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式，不需要额外的保护电路。配合正确选择的变压器，这些MOSFET就能驱动150V以上的线路电压，并以6公里以上的环路长度提供多种用户线路。

这些MOSFET的低输入电容使其易于以很少或没有缓冲直接从SLIC控制IC进行驱动，进一步简化了电路设计，减少了组件数量和成本。ZXMN20B28K还可在逻辑电平实现低栅极驱动。

ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封装。