华邦推出新功能的QspiNAND Flash,专为Qualcomm 9205 LTE 调制解调器设计

华邦推出新功能的QspiNAND Flash,专为Qualcomm 9205 LTE 调制解调器设计,第1张

2020年6月23日中国,苏州 – 全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子,宣布推出拥有新功能的 QspiNAND Flash,是专为 Qualcomm® 9205 LTE 调制解调器而设计的。

华邦推出业界首创的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash,为新型行动网络 NB-IoT 模块的设计人员提供正确的储存容量。

“到了2020年,物联网的规模将成长到500亿个连网装置,未来几年 Quad SPI-NAND 的采用率可能会增加4到5倍,” WebFeet Research 总裁 Alan Niebel 说道,“华邦的 1.8V QspiNAND Flash 相当适合汽车及 IoT 产业使用。NB-IoT 已经蓄势待发,在全新的连网世界中茁壮成长,2023年之前出货量可望达到全球 6.85亿个装置”。

华邦电子美国分公司闪存事业群营销部总监 Syed S. Hussain 表示:“华邦一直致力于创新及产品差异化,我们很自豪Qualcomm 9205 LTE主控芯片采用了华邦设计的QspiNAND Flash KGD 解决方案。我们会持续与 Qualcomm密切合作开发内存组件,打造适合 IoT 应用的次世代 LTE 调制解调器解决方案”。

华邦立足于传统 QSPI-NOR Flash,并进军 QSPI-NAND Flash 领域,客户可根据自身需求,自由选择编码储存组件,以最低成本扩充规模。使用相同的 6 针脚信号及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量存储,并采用 104MHz 读取速度的全新ConTInuous Read 功能,效能毫不减损。

Qualcomm Europe Inc. 产品管理副总裁 Vieri Vanghi 表示:“Qualcomm已对华邦的 QspiNAND Flash 进行各种测试及验证,目前以堆栈 KGD 解决方案形式运用于 Qualcomm 9205 LTE 调制解调器,让 OEM 客户能打造出外型极为精巧的系统。我们很荣幸能与华邦维持长久的合作关系,期望双方能继续共同提供顶尖的 IoT 技术解决方案”。

W25N QspiNAND Flash 系列装置采用节省空间的 8 针脚封装,以往的 SLC NAND Flash 无法做到这一点。W25N512GW 为 512Mb 内存,数组分为 32,768 个可编程页面,每页面为 2,112 字节。W25N512GW 提供全新的 ConTInuous Read 模式,可利用单一读取指令高效存取整个内存数组,是编码映像 (code shadowing) 应用的理想选择。

为满足全球对大容量解决方案持续成长的需求,华邦 QspiNAND Flash 在台湾台中的 12 寸晶圆厂进行制造。华邦正在扩展产能,以确保支持汽车与 IoT 产业因全新业务带来的增长。

“SpiFlash 系列在加入 QspiNAND Flash 产品线后,有利于现有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 转换为 QspiNAND Flash,”华邦闪存技术总监 J.W. Park 说道,“华邦与客户工程团队合作开发的这款全新 512Mb QspiNAND Flash,在符合成本效益的设计原则下,可以提供同样优异的效能”。

1.8V QspiNAND Flash 特色如下:

低功率且涵盖不同使用场景的工作温度

– 1.75V ~ 1.95V 供电

– 工作电流 25mA、待机电流 10μA、深度省电 (Deep Power Down) 电流1μA

– -40°C 至 +85°C 工作温度 (工规级)

– -40°C 至 +105°C 工作温度 (工规进阶级与车规级)

独特的内存架构

– 启用 ECC 时的页面读取时间:60μs

– 页面写入时间:250μs (标准值)

– 区块抹除时间:2ms (标准值)

– 快速编程/抹除的效能

– 支持 OTP 内存区域

高效能高可靠性的 QspiNAND Flash

– QSPI 实作采用 46nm 制程技术

– 数据保存 10 年以上

– 支持最高每秒 52MB 的数据传输率

节省空间的封装

– WSON8 6x8mm

– WSON8 5x6mm

– TFBGA24 6x8mm

– KGD (良裸晶粒)

W25N512GW 目前已上市。

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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2589937.html

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