台积电推出采用EUV的5nm工艺设计 密度提高1.8倍,性能提高15%

台积电推出采用EUV的5nm工艺设计 密度提高1.8倍,性能提高15%,第1张

台积电近日宣布,将基于该公司的开放式创新平台(OIP)提供完整版的5nm工艺设计制成。

据该公司称,5nm工艺已经处于风险生产阶段,针对5G和人工智能市场,为下一代高端移动和HPC应用提供“新级别”的性能和功耗优化。

采用5纳米的新工艺,与公司的7纳米工艺相比,相同的Cortex-A72内核可实现1.8倍的逻辑密度和15%的速度提升。

5nm工艺采用EUV光刻(极紫外曝光)制造,与公司以前的节点相比,通过简化制造工艺和在同一发展阶段实现出色的技术成熟度,可显著提升晶圆产量。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2613364.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-10
下一篇 2022-08-10

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存