美光DDR3内存登场:30nm工艺 用于超轻薄设备

三星昨日宣布量产面向下一代智能手机和平板机等便携设备的3xnm 2GB LPDDR3内存芯片，美光今天也宣布了另外一种DDR3内存的登场：30nm工艺制造的DDR3L-RS DRAM已经开始批量供应，主要针对超极本、平板机等超轻薄计算设备。

DDR3L-RS此前被称作DDR3Lm，是对DDR3L规格的进一步优化，通过降低自我刷新耗电量(IDD6)来降低整体功耗，电压为标准的1.35V，同时保持与标准DDR3相同的性能、质量和可靠性，运行频率667/800MHz。

IHS iSuppli认为这是一种非常出色的内存规格，预计会有不少超轻薄平台采纳它。

美光的首批DDR3L-RS内存芯片采用30nm工艺制造，FBGA封装，单颗容量2Gb(128Mb×16/256Mb×8)、4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4)，已经率先通过了Intel 7/C216系列芯片组、Ivy Bridge Core i7系列处理器新平台的各方面测试。

美光还在试产更大容量的8Gb DDR3L-RS，分为256Mb×32、512Mb×16两种规格，运行频率800MHz，预计今年12月份正式投产。

明年年初，我们则会看到基于下一代DDR4内存规格的新型DDR4-RS。