根据最新消息,IBM成功利用碳纳米材料,在单个芯片上集成了上万个9nm制程工艺的晶体管,相信大家对于著名的摩尔定律都略知一二,但是随着集成电路晶体管尺寸越来越小,CPU内存等芯片的发展势必与摩尔定律有些出入。要想继续按照摩尔定律发展,寻求新材料就成为一种必然,碳纳米料就是其中之一,另外3D芯片也是拯救摩尔定律的一种方法,三星、IBM、英特尔等等都在致力于3D芯片的研究。
IBM展示碳纳米晶圆
在集成电路的晶体管数目的规律上,业界有一个著名的摩尔定律。摩尔定律指出,当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。该定律是由英特尔创始人之一摩尔提出,这些年来一直与芯片的发展相符。
硅晶元
目前硅晶体管的制程工艺已经达到了32nm、20nm的水平,而且随着现在芯片领域越来越激烈的竞争,晶体管的尺寸也越来越小。例如比较知名的晶圆代工厂GlobalFoundries以及台积电、台联电都加进了下一代16nm制程工艺晶圆的研发。然而随着集成电路上的晶体管密度越来越大,其在密度上的增加就越来越困难。摩尔定律必将将晶体管的大小带到了一个物理上得极限。
英特尔晶体管研制计划
有报道指出,现阶段普遍应用的硅晶体管在尺寸上有一个10nm的物理极限。目前硅晶体管制程已经推进到22nm,14nm也近在咫尺,然而根据英特尔2011年的一份技术资料,其10nm制程的CPU要等到2015年。而且10nm也接近了硅晶体管的物理极限。相比之下,要想摩尔定律继续有效,碳纳米材料更有希望提升晶体管密度来拯救摩尔定律。
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