IBM展示领先芯片技术，3D晶体管碳纳米管来袭

　　IBM在Common Platform技术论坛上展示了蓝色巨人对未来晶圆的发展预测，Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的联盟，旨在研究3D晶体管FinFET的芯片。在2月份举行的这次Common Platform 2013技术论坛上，IBM除了展示FinFET这种3D晶体管技术外，还展示了诸如硅光子晶体管，碳纳米管等前沿技术。

　　Common Platform 2013技术论坛

　　在集成电路的晶体管数目的规律上，业界有一个著名的摩尔定律。摩尔定律指出，当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。该定律是由英特尔创始人之一摩尔提出，这些年来一直与芯片的发展相符。

　　硅晶元

　　目前硅晶体管的制程工艺已经达到了32nm、20nm的水平，而且随着现在芯片领域越来越激烈的竞争，晶体管的尺寸也越来越小。例如比较知名的晶圆代工厂GlobalFoundries以及台积电、台联电都加进了下一代14nm制程工艺晶圆的研发。然而随着集成电路上的晶体管密度越来越大，其在密度上的增加就越来越困难。摩尔定律必将将晶体管的大小带到了一个物理上的极限。

　　英特尔晶体管研制计划

　　有报道指出，现阶段普遍应用的硅晶体管在尺寸上有一个10nm的物理极限。目前硅晶体管制程已经推进到22nm，14nm也近在咫尺，然而根据英特尔2011年的一份技术资料，其10nm制程的CPU要等到2015年。而且10nm也接近了硅晶体管的物理极限。相比之下，要想摩尔定律继续有效，碳纳米材料更有希望提升晶体管密度来拯救摩尔定律。

　　IBM半导体研究部门负责人Gary Patton表示，45nm制程工艺的芯片已经开始在稳步的推出市场。对于目前的硅晶体管的10nm物理极限，Patton认为极限的EUV光刻技术可能让晶体管突破10nm这一大关。