英飞凌与GLOBALFOUNDRIES宣布围绕40nm嵌入式闪存工艺进行合作

英飞凌与GLOBALFOUNDRIES宣布围绕40nm嵌入式闪存工艺进行合作,第1张

  2013年5月2日,德国纽必堡/德累斯顿与新加坡讯——英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验,进行相关技术的开发。GLOBALFOUNDRIES 公司旗下的多家晶圆厂将生产新一代40纳米嵌入式闪存MCU,其中新加坡的晶圆厂将成为第一个生产该类器件的晶圆厂,紧随其后的是公司位于德国德累斯顿的晶圆厂。

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