2013年10大半导体厂商如何开拓新局面

2013年10大半导体厂商如何开拓新局面,第1张

  根据DIGITIMES最新统计结果,去除2家IC设计业者,2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔Intel)、三星电子(Samsung Electronics)、台积电、德州仪器Texas Instruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半导体。观察2012~2013年主要半导体大厂资本支出变化,英特尔与台积电均将较2012年增加,三星电子、东芝可望持平,SK海力士将较2012年减少,至于采轻晶圆厂策略的瑞萨电子、德州仪器及意法半导体2013年仍将维持在低资本支出水位。

  2013年英特尔资本支出将较2012年增加18.2%,达130亿美元,除持续提升22纳米制程占产能比重外,亦将投入18寸晶圆与14、10、7、5纳米等更先进制程研发,以生产效能更佳的处理器。

  三星电子半导体事业资本支出自2009年仅32亿美元持续增加至2012年123亿美元,已连续3年成长,然2013年预估将小幅减少至120亿美元,其存储器事业投资重点包括持续提升DRAM 28纳米制程占产能比重、续建大陆西安NAND Flash新厂,及推动NAND Flash朝21、16纳米制程迈进,而系统IC事业则将以扩充德州奥斯丁厂产能,及重启韩国华城厂第17产线兴建计画为主。

  2013年台积电资本支出将自2012年83亿美元增加至95亿~100亿美元,主要将用于布建28、20及16纳米制程产能。日厂东芝2013年资本支出可望持平在20亿美元,主要将用于投入NAND Flash 1y纳米制程研发。

  SK 海力士资本支出自2009年仅8亿美元持续增加至2012年35亿美元,呈现连续3年成长态势,然2013年预计将减少至26亿美元。2013年SK海力 士不仅将推动其DRAM自35纳米升级至28纳米制程,NAND Flash自27纳米升级21纳米制程,更计划于其晶圆代工产线切入更高阶芯片生产。

SK海力士于全球半导体生产据点分布

  另外,韩厂三星与SK海力士虽2013年半导体事业资本支出均将较2012年减少,主要用于先进制程产能的布建,但对于透过购并公司以布局半导体相关技术的态度将更加积极,此透露出韩国半导体厂商渐不局限于仅投资在设备或厂房,更重视半导体元件技术布局的完整性。

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