三星半导体发展迅猛，国内同业者从中受益

　　半导体是一个技术日新月异的产业。最新半导体采用以纳米为单位的技术，1纳米相当于1米的十亿分之一。 用目前的20 纳米工艺举例，意味着在作为半导体原料的直径为30cm的晶圆上画出一条线，然后把这张晶圆放大到地球大小尺寸，20纳米的线的粗细大概相当于85cm左右。 如今的半导体技术，是一种把地球看作帆布、用85 cm粗毛笔画画的技术。

　　但是，即便如此微细的技术也无法满足未来半导体制造的要求。生产半导体时，就像平常照相成像的原理一样，未来使用的半导体晶元因为必须有极为微细化的电路，而使用一般的光源会产生波长干涉，无法准确的将电路投射到晶圆上，所以必须使用EUV这种波长极短的光源。然而EUV设备至今为止也没有完全实现商用化，而作为试用品的EUV设备，每台的价格大约达到1亿美金。

　　三星引领半导体技术的发展

　　上个世纪70-80年代，记忆体晶元的技术竞争主要集中在容量上。谁更快生产出容量更大的半导体，谁就能在市场上取胜。当时半导体技术的发展主要美国和日本两国主导。 比起其它技术上落后的企业，美日两国的企业会通过率先开发新一代大容量的产品而获利，而当其它企业在技术上渐渐追赶上来时，又开始大幅降价，使得后进企业很难获利。

　　产业结构的变化是伴随着市场的拐点出现的。80年代末， 只有研究所和企业才使用电脑逐渐出现在了普通消费者的家中，这就标志了“个人电脑时代”的到来。当电脑成为个人消费品后，半导体市场得到了飞速的发展。

　　准确预测这个变化的有两家公司，那就是英特尔公司和三星电子。英特尔公司为避开多家公司参与的竞争日益激烈的记忆体晶元市场， 决定集中精力做CPU市场。三星虽然进入市场较晚，但是却研发出了许多三星独有的技术。1992年两家公司同时在综合半导体和DRAM半导体领域取得第一的业绩后，这个记录一直保持到现在。

　　将有益中国半导体发展

　　截止2010年，中国生产的半导体集成电路占据全球生产量的9%。但中国计划到十二五计划结束的2015年，将产量增加到15%，并力争成为占世界半导体产品消费量50%的电子产业大国。为了达成以上目标，截止2015年，中国计划培育年销售额达到32亿美金以上的1~2个半导体制造企业，年销售额达到11亿美金的2~3个的半导体制造企业。另外，在半导体设计领域，培育5~10个年销售额达到3亿美金的企业。

　　综合各种数据判断，这个目标很有可能成为现实。2012年，海力士半导体（中国）有限公司的年销售额达到了16.8亿美元，如果每年保持18%的增长率，到2015年即可实现翻一番的32亿美元的销售额。同时，三星电子西安半导体工厂今年5月即将投产，如果这个工厂所采用的新技术V-Nand*能顺利生产的话，西安将有望成为半导体生产基地的新麦加。

　　2014年，中国将生产全世界32%的智能手机、24%的电脑和23%的液晶电视。单单在半导体市场，2014年中国已占据全世界半导体市场的48%，因此到了2015年，实现50%的目标并不遥远。

　　但是，如何将这种量的增长，转换成中国半导体产业质的发展，这才是关键。而要实现这种转化，人才的培养又是核心。有多少优秀的人才认识到电子产业的重要性，并积极投身到电子产业的发展中，将关系到中国半导体产业能否实现质的飞跃。南韩虽然较晚进入半导体产业，但很快在技术开发上追上了先进企业，并最终成为半导体技术的领军企业。这么快速超越的秘诀，正是因为对有能力的人才知人善任，让这些优秀人才最大限度发挥其能力。三星半导体事业的领军人物--李润雨副会长、黄昌奎社长、 权五铉副会长都是学电子电气工学专业的技术型CEO。

　　让人感到十分庆幸的是中国也有很多优秀人才。其中，西安市的大学数量更是在国内排名第三，每年获得学士学位的有20万名，仅IT专业硕士就有2万名，是个名副其实的人才宝库。通过中韩尖端半导体技术的交流，将有助于提高中国的半导体技术水平。

　　向中国开放的机会

　　在三星电子的西安半导体工厂中即将投产的产品，是由三星在去年成功开发的最新快闪记忆体晶元。新型的晶元将到目前为止以平面为主的晶元设计，旋转90度，用立体堆叠的方式扩大存储容量，是一项完全崭新的技术。

　　过去，南韩企业之所以能够在半导体市场迅速发展，得益于传统电脑向个人普及的时期。另外，随着模拟终端转向数字终端，手机市场得到蓬勃发展，而三星也把握时机，在DRAM之外积极开拓快闪记忆体市场，不仅为自身的发展增添了新动力，也使得三星开始在电视和手机市场崭露头角。

　　企业是市场的生物，适者生存。为了满足消费者日新月异的要求，市场每分每秒都在变化。然而，变化中总蕴藏着机会。只有时刻为变化作好准备，不断努力，才能在变化中寻求商机。而为了随机应变适应市场变动，正是三星启动西安半导体工厂的意义所在。

　　* V-Nand：三星电子自主研发的NAND快闪记忆体的名称，将现有半导体晶元的平面设计模式创新性的改为3D立体堆叠式设计，产品性能和容量都将得到提高。