LDO原理结构及应用

LDO原理结构及应用,第1张

  LDO的种类

  LDO是新一代的集成电路稳压器,它与三端稳压器最大的不同点在于,LDO是一个自耗很低的微型片上系统(SoC)。

  LDO按其静态耗流来分,分为OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三种产品。

  MicroPowerTM LDO的静态电流在10mA-100mA,是一种微功耗的低压差线性稳压器,它具有极低的自有噪音和较高的电源纹波抑制(PSRR),具有快捷的使能控制功能,给它一个高或低的电平可使它进入工作状态或睡眠状态,具有最好的性能/功率比,适用于在需要低噪音的手机电源中使用。

  NanoPowerTM LDO的静态电流小于10mA,通常只有1mA。是一种毫微功耗的低压差线性稳压器,具有极低的静态电流,稳压十分精确,最适用于需要节电的手提电子、电器产品。

  见图1。

  

LDO原理结构及应用,第2张

  LDO的结构

  LDO的结构是一个微型的片上系统,它由作电流主通道的、具有极低在线导通电阻RDS(ON)的MOSFET、肖特基二极管、取样电阻、分压电阻、过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器、POK MOSFET 等专用晶体管电路在一个芯片上集成而成。如图2。

  

LDO原理结构及应用,第3张

  POK(Power OK)是新一代LDO都具备的输出状态自检、延迟安全供电功能,也有称之为Power good即“电源好”。

  工作原理及效率

  LDO 的工作原理是通过负反馈调整输出电流使输出电压保持不变。

  LDO选择原则

  当所设计的电路要求分路电源具有下列特点时:

  1) 低噪音、高纹波抑制;

  2) 占用PCB板面积小(如手机、手持电子产品);

  3) 电路电源不允许使用电感器(如手机);

  4) 电源需要具有瞬时校准和输出状态自检功能;

  5) 要求稳压器低压降、自身低功耗;

  6) 线路要求低成本和简单方案;

  此时,选用LDO是最确当、最实用、最方便、最经济的。

  应用简介

  LDO的应用电路十分方便简单,工作时仅需要二个作输入、输出电压退耦降噪的陶瓷电容器,见图3。

  

LDO原理结构及应用,第4张

  Vin和Vout的输入和输出滤波电容器,应当选用宽范围的、低等效串联电阻(ESR)、低价陶瓷电容器,使LDO在零到满负荷的全部量程范围内稳压效果稳定。

  一些LDO有一个Bypass附加脚,由它连接一个小的电容器,可以进一步降低噪音。

  电容器的选择关系到设计产品的质量和成本,电容器的电容值、电介质材料类型、物理尺寸、等效串联电阻(ESR)等这些重要参数都是设计工程师所要考虑的。

  在LDO使用电路的设计中,陶瓷电容器是最好的选择,因为陶瓷电容器无极性和具有低的ESR,典型值<100mΩ,电容器的ESR对输出纹波有重大影响。

  ESR受电容器的类型、容量、电介质材料和外壳尺寸影响,如常用的贴片电容器X7R 电介质是最好的,但使用成本略高,X5R 电介质较好,性能/价格比适宜,而Y5V电介质较差,但成本较低。

  LDO在PCB板上的工艺走线十分重要,当工艺走线不良和靠近RF线时降噪性能会受影响。滤波电容器汇入地节点选择不良时,由负载返回地的电流中,噪音和纹波都会增加。在通常的布线设计中常常遇到此类情况(图4)。

  

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  如将此布线线路优化,则可在由负载返回地的电流中,噪音和纹波都降至最小(图5)。

  

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  理想的PCB板布线设计是接地点尽可能的粗短和走捷径,走线一定要考虑各个器件间的干扰和辐射,器件的合理排列可有利于有效地减少各个器件间的相互干扰和辐射,如图6所示。

  

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  新一代的LDO都是用CMOS工艺生产的,它和使用Bipolar工艺生产的LDO功能上没有多大的区别,可是静态电流、压降、噪音和成本等的内在性能有很大的提高(表1)。

  

LDO原理结构及应用,第8张

  LDO的应用电路如图7所示,可供参考。

  

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