近日消息,国工信部电子信息司司长丁文武主导的半导体小组,对于中国DRAM未来的发展已有明确的方向,同时遴选了半导体相关的顶尖业界人士担当评审委员,跳脱传统的政治评估,各地方政府拥有的技术、人力、财力及资源才是评中入选的重要考量点。如果中国DRAM研发与发展团队正式成军,将牵动着中国半导体相关公司间的策略结盟与高层异动,此外,盖厂的同时也带动具群聚效应的半导体业者往中国靠拢,全球高阶设计研发制程人才版图亦将往中国市场逐渐移动。
目前已经呼之欲出的方案,是以既有的半导体基地、公司为发展基础,结合中国具相关经验的高阶干部,结盟相关中国半导体公司与IC设计公司。而与三大DRAM厂洽谈合作机会的方针也持续进行中。TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,自中国工信部宣布国家积体电路产业投资基金(中国简称“大基金”)成立,挟带着1,300亿人民币基金,中国政府挟带丰沛资金与广大市场宣示进军全球半导体产业,DRAM产业将是中国进入半导体的重要目标;但业界先进如三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)与美光(Micron)在DRAM业界耕耘已久,众多的IP智财亦形成了门槛极高的竞争壁垒。
由于缺乏DRAM三大阵营的技术来源与相关生产经验,藉由并购并取得IP成了中国进军DRAM领域最快的敲门砖。去年的英特尔(Intel)与展讯的模式就是一例,一者提供技术支援、一者在中国本土市场有先占优势,互相合作可望带来加乘效果。而今年6月11日中国武岳峰资本再度以每股21美元,高于另家美国半导体公司赛普拉斯的原先报价20.25美元夺回美国上市的芯成半导体,亦可看出中国政府对于取得IP智财提升DRAM领域技术竞争力的重要性。至于拥有丰富半导体经验与技术的台湾,也是中国亟欲合作的对象,各省市负责高层频频来台亲自拜会相关公司,看中的就是台湾在全球的研发团队在强劲研发实力与国际接轨能力皆属名列前茅,更不排除从台湾等地招募有经验的DRAM团队。
DRAMeXchange表示,发展DRAM产业已经是中国既定的政策,能否找到技术合作的伙伴、有丰富经验的团队与IP智财的取得,将是未来中国半导体计画能否成功,甚至加速量产的关键。不同于NAND Flash产品,即使品质不好亦有低阶产品可以使用,DRAM产品不论容量大小都不容许任何错误,如果技术到位,中国将先切入技术较容易的标准型记忆体与利基型记忆体,再进军近年成长快速的Mobile DRAM,软硬体的整合预估最快需要3~7年,初期首重中国内需市场,并以全球市场为目标推进。
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