SiC功率模块关键在价格，核心在技术_技术

　　日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 m?半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。

　　世强代理的CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm，封装则采用Half-Bridge Module，具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面，连续通电时最大为404A（@25℃），285A（@90℃），脉冲通电时最大为1500A（@25℃），导通电阻在栅源间电压为+20V、周围温度为25℃时只有5mΩ（标准值）。此外，即使周围温度上升至+150℃，导通电阻也只有8.6mΩ（标准值），温度上升对导通电阻增加的影响非常小。总栅极电荷仅1025nC（标准值），因此十分容易提高开关频率。

　　图1：Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 m?半桥双功率模块CAS300M12BM2

　　Cree方面表示，如果使用SiC功率模块，与使用Si功率的电源装置相比，由开关损失引起的功率损耗可降低5倍以上。与采用Si材料IGBT的电源装置相比，CAS300M12BM2可改善装置整体的转换效率，而且能将开关频率提高，从而能够缩小外置部件，因此可削减电源装置整体的体积和重量。在感应效率达到99%的同时，CAS300M12BM2在高频感应加热系统可减少2.5倍的电源模块数。CAS300M12BM2的转换效率和性能可使设计师减少冷却片和散热片，降低系统的热要求，提升两倍的功率密度并降低系统成本，最终减少了用户的成本。

　　图2：使用SiC与Si技术比较

　　Cree功率和RF产品营销经理MrinalDas表示：“Cree的SiC功率模块系列还可以为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和工业电源等应用带来极大益处。即使设计人员只是在电动机中用SiC取代硅模块，SiC的增强性能也可以降低功率耗损和冷却要求，从而降低动力电子设备系统的尺寸、重量、复杂性和总成本”。

　　Cree与世强已于日前宣布，双方将展开紧密合作，共同开拓汽车和工业市场。来自Cree的CAS300M12BM2现可通过世强订购。

　　相关阅读

　　干货福利：SiC器件如何更胜Si器件一筹

　　SiC MOSFET半桥模块用于开关电源，系统效率能达到99%

　　相关产品信息

　　CAS300M12BM2

　　SiC 功率器件

　　碳化硅功率模块

　　关于世强

　　世强先进成立于1993年，是包括安华高、瑞萨电子、Silicon Labs、Rogers、Melexis、英飞凌、acam、Alliance、Micrel、Littelfuse、NEMICON、EMC & RF Labs、EPSON、Cpyress、Vincotech、SMI、理光微电子、是德等在内的全球知名半导体企业及测试测量仪器公司在大中国区的重要分销商，同时也是众多电子制造和研发企业的重要供应商，产品业务除了覆盖传统的工业、通信、消费和汽车电子领域，更为新兴的物联网、车联网、可穿戴设备、智能移动终端等市场带来更多前沿技术和创新产品。