CMOS射频前端牛逼的技术挑战传统工艺

现阶段，无线连接市场发展迅速，市场规模不断扩张，其中主要驱动力是移动设备以及物联网应用的爆发式增长。在无线连接中射频前端芯片有着关键的作用，目前主要采用GaAs或SiGe工艺，但由于其材料的稀缺性及工艺的复杂性，射频前端芯片的良率并不高，而RFaxis公司采用行业标准的bulk CMOS技术制造射频前端芯片，能够提升射频前端芯片生产水平，并降低成本。

CMOS工艺优势巨大

RFaxis的产品线主要以wifi以及一些IoT应用为主，公司拥有多项专利。

RFaxis的主要产品是RFIC，主要应用在射频前端部分，射频前端的主要功能是连接射频接收器和天线，用以增大输出功率、提高接收灵敏度、增加传输速率及距离。传统的RFIC由各自独立的PA、LNA（低噪声放大器）、SWITCH（开关）和分立器件所组成，采用GaAs工艺将其结合在一个模块里。另外，也有采用SiGe工艺的产品，但是同样的，其集成度远低于纯CMOS工艺产品。

“通过X光照发现，竞争对手的产品至少在一个芯片内都有两个裸片，这些裸片会通过wire bonding连接在一起，而我们的芯片是完全由一个单裸片所组成，而且这样性能会更加优化。” RFaxis全球销售副总裁Raymond Biagan说。

图 1 芯片X光照对比

RFaxis号称是全球唯一一家可以提供纯CMOS工艺生产RFIC的公司，同时，采用CMOS工艺生产的芯片，与包括Avago、Qorvo（RFMD与Triquint合并之后的新公司）在内的竞争对手相比，性能相当。而且因为采用的是纯CMOS工艺生产，使得产品无论是工艺还是交货周期都优于GaAs工艺。

Biagan说：“总结起来，我们的产品的优势是：一 成本更低；二 集成度更高；三 超越竞争对手的性能；四 更好的ESD保护性能，这是因为CMOS工艺的电导性更好，工作温度也更高；五 客户的外部电路更简单，客户更易于开发，系统成本也更低。”