台积电、英特尔、三星10纳米量产之战

　　10纳米系统半导体芯片量产战争已经开始了，三星电子（Samsung Electronics）、英特尔（Intel）和台积电出面争夺主导权，研发作业正如火如荼地进行中，对于相关设施的投资金额也大幅提高了。

　　据ET News报导，三星在业绩发表会中表示，2016年底10纳米系统半导体芯片量产计划没有任何变动，为了按照计划进行，目前正动员所有的准备力量。

　　英 特尔和台积电也都宣布了10纳米芯片量产投资计划，英特尔表示2016年的设备投资金额指标将比2015年扩大30%，约为95亿美元；台积电也提高了设 备投资金额，宣布2016年约投资90亿~100亿美元， 2015年台积电的投资额约为81亿美元，2016年的投资规模至少增加11%，最多增加到23%。

　　三 大厂提高投资额与10纳米制程的转换有关。展开10纳米芯片量产竞争的主要理由，是为了要抢夺苹果（Apple）和高通（Qualcomm）这两个大客 户。高通表示，计划在三星或台积电以10纳米制程生产新一代的Snapdragon 830，将委托给竞争力较高的一方来生产。

　　业界相关人士表示，在14、16纳米制程时被三星抢去很多订单的台积电，计划将在10纳米时翻盘，台积电并指出，2016年10纳米量产准备的竞争将会决定2017年以后的业绩。

　　英特尔还没有正式进入代工产业，所以对于10纳米制程的准备与客户公司没有什么关系。不过之前英特尔曾经公开表示过，将在2017年上市的新型CPU Cannonlake将以10纳米制程来量产，所以在日程上也不能再推延了。

　　台积电、英特尔、三星对于10纳米系统半导体芯片量产的准备将会在2016年中左右使得相关设备业界受惠，大部分是前段制程的设备部分，并预计在10纳米制程中不使用极紫外光（EUV）设备，而将采用浸润式（Immersion）设备来进行制造。

　　分 析师表示，多重曝光（MulTI-patterning）的比重增加，所以预估蒸镀和蚀刻的设备部分将会受惠。在蒸镀部分，比起化学气相沉积（CVD）来 说，能以原子层为单位来镀上薄膜的原子层沉积（ALD）的设备需求预计将大幅增加。随着线宽缩减程度变高，原本的CVD制程逐渐被ALD制程所取代。

　　根 据Miraeasset资料显示，以2014年为基准，全球ALD设备的市占率各为：艾司摩尔（ASML）53%，东京威力科创（Tokyo Electron）27%，Jusung Engineering 6%，科林研发（Lam Research）5%，Wonik IPS 5%，Aixtron 2%。2016年开始Eugene Technology也计划将首次进入ALD设备的市场。

　　市调业者Gartner预测表示，2016年与逻辑芯片（Logic Chip）有关的设备投资将比2015年增加5%，达到约322亿美元的水准。