安森美半导体进一步扩展IGBT系列推出基于第三代超场截止技术的1200 V器件

　　2016 年 5月10日- 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ON），推出新系列绝缘栅双极晶体管（IGBT），采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平，以符合现代开关应用的严格要求。这些1200伏特（V）器件能实现领先行业的总开关损耗（Ets）特点；显著提升的性能部分归因于极宽的高度触发的场截止层及优化的共同封装二极管。

　　NGTB40N120FL3WG的Ets为2.7毫焦耳（mJ），而NGTB25N120FL3WG的Ets为1.7 mJ。两款器件在各自额定电流下的VCEsat均为1.7 V。NGTB40N120L3WG经优化提供低导通损耗，额定电流下的VCEsat为1.55 V，Ets为3 mJ。新的超场截止产品与一个具有软关断特性的快速恢复二极管共同封装在一起，仍提供最小的反向恢复损耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常适用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器，而NGTB40N120L3WG主要针对电机驱动应用。

　　安森美半导体功率分立器件分部高级总监兼总经理Asif Jakwani说：“我们把新的超场截止IGBT配以优化的快速恢复二极管达到最佳状态，完美地平衡了VCEsat和Ets，从而降低开关损耗，并增强硬开关应用在宽范围开关频率的电源能效。同时它还提供工程师期望从IGBT获得的强固工作和高性价比。”

　　封装和定价

　　NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG都采用符合RoHS的TO-247封装，每10，000片批量的单价分别为2.02美元、1.76美元和2.12美元。

　　关于安森美半导体

　　安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON）致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统级芯片（SoC）及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，一套强有力的守法和道德规范计划，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。