高频率、高输入DCDC转换器设计实例

 

　　应用选择

　　为了说明使用高开关频率的权衡过程，我们设计了三个独立电源，其工作频率分别为100、300和750 kHz。所有这三种设计，输入电压均为48V，输出电压均为5V，而输出电流均为1A。这些要求常用于为一个5-V逻辑USB，或者为其它DC/DC转换器使用的中频通用5-V总线供电，例如：低压降稳压器等。若想建立一些设计限制，所选允许纹波电压需为50mV，其约为输出电压的1%;同时选择使用0.5 A的峰至峰电感电流。德州仪器TPS54160是一种集成MOSFET的2.5-MHz、60-V、1.5-A降压DC/DC转换器，用作所有设计的稳压器。TPS54160特有外部补偿和快速可编程频率，适用于一些高输入电压的工业应用。

　　电感和电容选择

　　根据下列四个简化公式，选择每种情况的电感和电容：

　　电感选择

　　

(1a)

 

　　可重写为：

　　

(1b)

 

　　其中，D(占空比)=5 V/48 V=0.104，且△I = 0.5 A峰至峰。

　　电容选择

　　I= C x dv/dt (2a)

　　可重写为：

　　

(2b)

 

　　其中，△I = 0.5 A峰至峰，且△V=50 mV。

　　就方程式2b而言，我们假设所选电容的等效串联电阻(ESR)忽略不计，陶瓷电容便是如此。我们选择陶瓷电容，用于所有三种设计，原因是其低电阻和小尺寸。方程式2b分子的乘数2表明DC偏压相关电容下降情况，原因是大多数陶瓷电容的数据表中都没有说明这一效应。

　　图 1 TPS54160 参考示意图

　　

 

　　图1所示电路用于评估实验台上每种设计的性能。示意图中没有值的一些组件，为设计中修改了的组件。输出滤波器由L1和C2组成。所有三种设计的组件值都列举在表1中，这些值的选择是基于方程式1a到2b的结果。注意，每个电感的DC电阻随频率增加而减小。这是因为较少的匝数所需的铜长度更短。我们单独为每个开关频率设计了误差放大器补偿组件。选择补偿值的计算方法，超出了本文讨论的范围。

　　最小“导通”时间

　　最小可控“导通”时间限制是DC/DC转换器IC的一个特点，其为脉宽调制(PWM)电路的最窄可达脉宽。在降压转换器中，开关周期期间功率MOSFET导通的时间百分比被称作占空比，其等于输出电压与输入电压的比。使用TPS54160转换器时，占空比为0.104(4 V/48 V)，而数据表中列出的最小“导通”时间为130 ns。可控脉宽限制产生一个最小可达占空比，而用最小“导通”时间乘以开关频率，我们可以轻松地计算出该占空比的大小。一旦知道了最小占空比，利用VIN乘以最小占空比，我们便可以计算出最低可达输出电压。最低输出电压同样也受转换器基准电压的限制，使用TPS54160时其为0.8V。

　　本例中，我们可以通过750-kHz开关频率来产生一个5-V输出电压(参见表2)。但是，如果该频率为1 MHz，则最低可能输出电压被限制为约6V;否则，DC/DC转换器会跳过脉冲。替代方法是降低输入电压或者频率。在选择某个开关频率以前，你最好是先查看DC/DC转换器数据表，了解保证最小可控“导通”时间。

　　DC/DC转换器的设计频率越来越快，目的是减小输出电容和电感的尺寸，以节省电路板空间。正因如此，现在市场上出现越来越多工作在高输入电压下的DC/DC转换器，其可提供线压瞬态保护，更低的占空比使更快频率下难以达到更低的电压。许多电源集成电路制造厂商(IC)正在积极推销高频DC/DC转换器，声称可以减少电路板空间占用。工作在1MHz或者2MHz下的DC/DC转换器似乎是一个好主意，但开关频率对电源系统产生的影响远不止体积和效率两方面。本文介绍了几个设计实例，说明在高频下开关存在的一些好处和挑战。

　　应用选择

　　为了说明使用高开关频率的权衡过程，我们设计了三个独立电源，其工作频率分别为100、300和750 kHz。所有这三种设计，输入电压均为48V，输出电压均为5V，而输出电流均为1A。这些要求常用于为一个5-V逻辑USB，或者为其它DC/DC转换器使用的中频通用5-V总线供电，例如：低压降稳压器等。若想建立一些设计限制，所选允许纹波电压需为50mV，其约为输出电压的1%;同时选择使用0.5 A的峰至峰电感电流。德州仪器TPS54160是一种集成MOSFET的2.5-MHz、60-V、1.5-A降压DC/DC转换器，用作所有设计的稳压器。TPS54160特有外部补偿和快速可编程频率，适用于一些高输入电压的工业应用。

　　电感和电容选择

　　根据下列四个简化公式，选择每种情况的电感和电容：

　　电感选择

　　

(1a)

 

　　可重写为：

　　

(1b)

 

　　其中，D(占空比)=5 V/48 V=0.104，且△I = 0.5 A峰至峰。

　　电容选择

　　I= C x dv/dt (2a)

　　可重写为：

　　

(2b)

 

　　其中，△I = 0.5 A峰至峰，且△V=50 mV。

　　就方程式2b而言，我们假设所选电容的等效串联电阻(ESR)忽略不计，陶瓷电容便是如此。我们选择陶瓷电容，用于所有三种设计，原因是其低电阻和小尺寸。方程式2b分子的乘数2表明DC偏压相关电容下降情况，原因是大多数陶瓷电容的数据表中都没有说明这一效应。