三星V NAND SSD走向普及　2016年底笔记本电脑搭载率上看40%

　　据南韩Newsis引用市调机构TrendForce资料指出，2016年第4季出货的笔记本电脑（NB）中，SSD的搭载比重将达40%以上。分析指出，第1季搭载SSD的NB比重占整体28~29%，预估到第4季为止将快速攀升的原因为HDD的价格上扬，及V NAND产品的发展。

　　SSD是传输速度较传统硬盘（HDD）速度快4倍以上，可耐受外来冲击的储存装置。噪音和发热问题较少，拥有优势，但价格较HDD高，且储存容量较不足。

　　一般称为3D NAND Flash的技术，是将芯片以垂直堆栈的方式，在较窄的面积上，实现低功率、电路集成度高的产品。不仅提升传输速度和生产效益，耗电量也降低。

　　值得关注的是，V NAND是三星为了展现自家技术能力而使用的词汇，显示目前产品的发展由三星主导。报导指出，目前可大量生产3D NAND的企业仅三星一间。其他半导体竞争企业约要到2017年上半才能量产。

　　三星个人用SSD 2015年在全球市场上掌握了54%市占率，三星陆续推出SSD新产品，加速领导市场，5月底三星更推出体积较10元硬币更小的512GB SSD「BGA NVMe SSD」。一个封包内建NAND Flash、DRAM和控制器，体积仅2.5吋HDD的1%。

　　在2013年推出超薄型笔记本电脑专用SSD系列产品后，睽违3年再推出搭载面积缩减至5分之1的产品，展现技术力。三星表示，该产品可提升新一代PC的设计d性。未来全球IT企业将可设计并推出更薄、更具设计感的创新PC。

　　除尖端技术外，三星的普及型系列产品也持续调降价格，致力于推动SSD大众化。5月底三星追加推出750 EVO系列的500GB容量产品。三星2015年推出125GB和250GB产品，考虑消费者需求，再推出大容量的500GB产品，并降低消费者价格负担。

　　新闻幕后：三星称霸SSD市场　各家大厂酝酿反攻

　　据南韩情报通信技术振兴中心资料，全球SSD出货量从2015年约1.1万颗，将会一路成长到2020年的2.4万颗，预计这段期间的年平均成长将会达到16.9%。另一方面，HDD则将从2014年的5.64万颗，衰退到2019年的4.2万颗，年平均负成长率约为5.7%。

　　到目前为止，全球SSD市场仍是由三星电子（Samsung Electronics）取得压倒性的市占率。根据市调机构IDC指出，三星拥有3D V-NAND技术的加持，在2015年SSD市场上，以营收基准来看，市占率为39.7%，而出货量则是40.0%。

　　为了要追上三星，英特尔（Intel）也开始积极地展开战略投资。自2016年底开始，将会导入比现有3D V-NAND更快，耐久度更好的3D Xpoint内存，并投产以此为基础的SSD Optane。英特尔预计自2016年下半开始在大陆大连的内存厂投资约55亿美元进行生产。

　　另一方面，大陆则间接透过收购新帝（SanDisk）来敲开SSD市场大门。目前全球最大的HDD厂商为威腾（WD），威腾最大股东则是大陆清华紫光集团。在2015年10月，威腾展开了对新帝的收购，并在5月完成最后作业。

　　在企业用SSD市场中，威腾和新帝合计市占率约为30%，超过了英特尔（24.6%）以及三星（20.6%）。此外，日本东芝（Toshiba）与SanDisk合作打造3D NAND新产线，大陆厂也纷纷发表了投资3D NAND部门的计划。

　　这些积极酝酿反攻的各家厂商们，也开始逐步动摇了三星在SSD市场的霸权地位。

　　360°：3D V-NAND3D V-NAND是一种利用垂直堆栈技术的闪存，包括三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）和IBM等科技业者均开发3D NAND，预计2014年时将可商用化。

　　3D V-NAND无须缩小内存单元（memory cell），而是利用3D堆栈技术封装更多的单元，此技术有诸多好处，包括在一个较小的实体空间里提升容积率（Capacity／Volume raTIo），如此将可降低干扰，编程时间也会缩短，再加上各单元互相链接长度缩减，意味着电气性能大为提升，总耗电量跟着减少。

　　三星在2013年发布世界首款3D V-NAND（垂直闪存），采用电荷撷取闪存（CTF）架构，将电荷暂时储存在闪存非导电层（Non-conducTIve Layer）的氮化硅（Silicon Nitride）通道中，改善浮点闸极方案中相邻单元格互相干扰的弊病。

　　三星目前已开始量产第二代32层V-NAND，耗电量降低20%。此外，IM Flash Technologies（IMFT，英特尔和美光合资企业）、东芝和海力士（Hynix）等NAND厂商也各自有自己的V-Nand计划。