解析1416nm制程 英特尔依然狠甩台积、三星？

　　近日合作媒体《天下杂志》一篇〈台积电真的超越英特尔？大客户这样吐槽……〉讨论台积电、三星的技术节点数字恐怕做过美化的问题引起不小的关注，这样的问题其实在先前即为半导体业界所持续论战，并在苹果 A9 芯片门事件，iPhone 6s A9 处理器分由台积电、三星代工时讨论来到最高峰，以实际情况而言，台积电、三星制程技术真的跟英特尔差很大？

　　半导体三雄纳米制程到底在争什么？

　　台积电、三星与英特尔的先进制程竞赛打得火热，在目前 14/16 纳米之后，制程战一路来到了 10 纳米。这些数字背后的意义其实指的是“线宽”，精确一点而言，就是金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）的闸极长度（Gate Length）。

　　场效电晶体用闸极来控制电流的通过与否，以代表 0 或 1 的数码讯号，也是整个结构中最细微、复杂的关键，当闸极可以缩小，电晶体体积也能跟着缩小，一来切换速度得以提升，每个芯片能塞入更多电晶体或缩小芯片体积；再者，当闸极长度愈小，闸极下方电子通道愈窄，之间的转换效率提升、能量的耗损也能降低，收减少耗电量之效，但当闸极太薄，源极与汲极距离愈靠近，电子也可能不小心偷溜过去产生漏电流，加以也有推动力不足的问题，这也是为何制程微缩难度愈来愈高；台积、英特尔与三星群雄间争的你死我活的原因。

　　（Source：Hightech 科技台湾）

　　三者 14/16 制程节点数字都灌水？

　　包含半导体芯片和系统还原工程与分析厂商 ChipWorks、Techinsights 与半导体分析厂商 Linley Group 都对台积电、三星、英特尔 16/14 纳米做过比较。

　　从 Linley Group 与 Techinsights 实际分析的结果，包含英特尔、台积电与三星在 14/16 纳米实际线宽其实都没达到其所称的制程数字，根据两者的数据，台积电 16 纳米制程实际测量最小线宽是 33 纳米，16 纳米 FinFET Plus 线宽则为 30 纳米，三星第一代 14 纳米是 30 纳米，14 纳米 FinFET 是 20 纳米，英特尔 14 纳米制程在两家机构测量结果分别为 20 纳米跟 24 纳米。

　　（Source：Linley Group）

　　（Source：Techinsights）