美光计划斥资20亿美元，加速DRAM产能

据日经新闻报导，美光科技计划未来二至三年斥资20亿美元，在位在日本广岛的工厂量产主要应用在智能手机、数据中心和自驾车的新世代DRAM。

报导指出，美光已在这座厂房内增设无尘室，并准备研发13nm芯片的制程技术。 该公司已买下多台订价数十亿日圆的尖端芯片制造设备进行研发，预料在DRAM芯片开始量产后，还会添购更多设备。 这座工厂原属于尔必达，2013年随着尔必达一起并入美光旗下。

目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加紧研发，以赶上业界龙头南韩三星电子的脚步。 和美光目前采用的16nm制程技术相比，13nm芯片装配在单一晶圆上的数量更多，生产效益预料可提升逾20%。