英特尔、三星等涉足晶圆代工 台积电市场压力增大

　　三星电子（Samsung Electronics）和英特尔（Intel）将大幅拓展晶圆代工事业领域。过去掌握晶圆代工市场的台积电、格罗方德（Global Foundries）等单纯晶圆代工业者，和三星、英特尔等综合半导体企业（IDM）凭藉各自的优势，形成竞争版图。

　　据韩国朝鲜日报报导，三星在大陆上海举办三星晶圆代工论坛（Samsung Foundry Forum），以海思半导体、展讯、联发科等IC设计业者为对象进行技术说明会。三星大陆负责人崔哲（音译）在100多名业界与会人士面前公开三星最尖端的10纳米、14纳米制程，并介绍8吋制程等可提升成本效益。

 

　　韩国业界认为，三星将以本次活动为起点，积极在大陆确保晶圆代工客户。三星自数年前开始逐渐降低对最大客户苹果（Apple）的依赖，为吸引新客户，扶植晶圆代工技术。2014年三星也与意法半导体（ST Microelectronics）合作，开始研发28纳米完全空乏式（depleTIon-type）绝缘上覆硅（FD-SOI）技术。

　　FD-SOI制程是在硅晶圆上制造轻薄绝缘氧化膜，再形成平面型电晶体电极的半导体制程。因外泄电流量少，用电效率最高提升近2倍，且可大幅缩减生产成本。2015年3月三星完成FD-SOI产品测试阶段，目前也完成商用化生产准备。

　　韩国半导体业界人士表示，移动应用处理器（AP）等高集成芯片一般会使用传统3D FinFET制成，结合类比电路的无线通讯（RF）芯片等，仍最适用FD-SOI制程。三星为生产处理器之外的芯片，一定会使用FD-SOI制程。

　　全球半导体龙头英特尔也宣布在晶圆代工市场上拓展领域。韩国业界先前预测英特尔2011年进军晶圆代工市场，而英特尔也透过与乐金电子（LG Electronics）、展讯、拓朗半导体（Altera）等大客户合作，正式跨足市场。近来英特尔获得ARM设计授权，2017年下半将运用10纳米制程，生产乐金手机AP产品。

　　三星、英特尔等IDM大厂加强对晶圆代工市场攻略的理由，是因相关市场获利性将持续成长。半导体微细制程转换逐渐进入瓶颈，IC设计业者委托生产具一定水准的芯片的成本也逐渐攀升。

　　外电引用市调机构IC Insights资料指出，2016年半导体整体市场将出现2%负成长，但晶圆代工领域的成长率预估有9%。

　　另一方面，台积电独吞逾5成市占率的晶圆代工市场版图，是否会因三星和英特尔的攻势出现变化，受到市场关注。韩国业界认为在生产效益方面，台积电、格罗方德等专门晶圆代工业者握有优势，但在微细制程、封装等高难度制程方面，三星和英特尔则较为领先。

　　英特尔EUV微影传延迟　营收与技术领先首当其冲

　　英特尔（Intel）日前传出将延迟2年部署极紫外光（EUV）微影技术消息，对此，评论认为，此举将让该公司出现非现金折旧支出而拖累营收，也可能让三星电子（Samsung Electronics）、GlobalFoundries与台积电等对手趁势坐大。该消息从技术上或财务上来看，对英特尔皆不利。

　　据AmigoBulls报导，英特尔过去几年来，持续透过投入数十亿美元资本支出，希望能领先其他晶圆代工业者，日前也积极部署资本密集的EUV微影技术，以便能在2017年生产10纳米芯片，希望更提高其领先优势。

　　不过，由于翻新设备时程延迟以及可能出现良率问题，英特尔传出将延至2019年才会在7纳米引进EUV微影，评论认为，此举等于可能让三星、GlobalFoundries与台积电有机会赶上。

　　过去10年来，随着技术节点出现多次进展，在效能、效率与功耗上都取得进步，但进入更细微节点后，便得面临物理定律问题。如今已出现进入10纳米以下，即使芯片厂投入钜资但相对取得性能进展已不多的窘境，所幸这时EUV救兵出现。

　　目前业界是采用深紫外线（Deep Ultraviolet）微影技术来制造芯片，其原理类似相机技术，是透过镜头将光聚焦并在晶圆上蚀刻电路，但目前业者也面临在追求精准光束与尽量微小上遭遇受限的问题，且与物理定律脱离不了关系。

　　所幸EUV微影更小的波长可轻易在更小规模下聚焦与控制EUV雷射，让晶圆厂能在晶圆上刻下更小电路，理论上可一路顺利进展至5纳米。

　　过去少数报告也曾指出，使用EUV制造芯片的速度比传统方式生产芯片快100倍，姑且不论是否属实，EUV微影在持续微缩上确实有助益。

　　评论指出，英特尔曾率先表示，期望能在2017年开始使用EUV生产10纳米芯片，换言之，EUV能投片（ramp）被视为英特尔领先对手的因素，但该公司目前改为在2019~2020年在7纳米才引进EUV微影，而且前提是假设10纳米没有投片问题。

　　另外，值得注意的是，英特尔对手三星、台积电与GlobalFoundries也计划届时将推出EUV微影，如此对英特尔自然不是好消息。

　　评论认为，上述4家公司预计在2018~2019年前都会进入相同制程节点，英特尔若缺少EUV加持，就芯片制造技术上已与其他对手无异，其制程领先优势也将化为无形。

　　另外，从财务角度来看，延迟EUV技术同样不利英特尔。首先，部署EUV所费不赀，初期单项工具高达1亿美元，据估计该公司截至2015年4月投入10亿美元，目前该金额势必早已增加。

　　除此之外，当初英特尔增加采购工具是为了在2017年让下一代技术商用，如今延后2年后，该段期间英特尔等于无法利用上述昂贵设备获利，未来2年非现金折旧费用持续增加后，将无形中影响英特尔营收。

　　再者，随着英特尔未来几年制程领先缩小，以安谋（ARM）为主的伺服器产品也将快速出现。

　　因为预计2019年，高通（Qualcomm）、超微（AMD）与Cavium将取得相同EUV微影与相同节点，理论上，上述公司芯片性能将可接近英特尔Xeon芯片，等于让英特尔在伺服器市场上将更难遏止ARM为主产品出现斩获。