大陆强力提升芯片自制率政策,吸引全球半导体大厂纷齐聚大陆盖12吋厂,三星电子(Samsung Electronics)西安3D NAND厂在2016年产值已超越大陆本土的中芯国际,首次登上大陆半导体制造一哥,2016年大陆整体半导体产值达人民币4,335.5亿元(约新台币1.95兆元),相较于台湾产值新台币2.43兆元已是一步之遥,面对大陆猛烈追赶态势,业界忧心台湾在全球仅次美国的半导体二哥地位,恐将被大陆一举超越。
大陆这一波半导体产业崛起,从产业政策、中央和地方资金、半导体人才等全数到位,全球半导体大厂纷到大陆设厂,2016年大陆前十大半导体制造晶圆厂中,外资企业占5成,包括三星、SK海力士(SK Hynix)、英特尔(Intel)、台积电、联电,未来3年内还有台积电南京12吋厂、联电厦门12吋厂、GlobalFoundries成都12吋厂加入大陆生产行列。
三星凭藉3D NAND技术及市场优势,2016年西安厂产值达人民币237.5亿元,一举超越中芯产值人民币202.2亿元,首度登上大陆半导体制造一哥,台积电在大陆排名第七大,预计南京厂将在2018年量产,该座厂产能虽不大,但集中火力在16纳米高阶制程,产值相当可观,可望让台积电在大陆半导体厂排名大跃进。
值得注意的是,大陆2016年半导体总产值约新台币1.95兆元,对照台湾2016年半导体产值约2.43兆元,台湾赢得十分惊险,保住全球第二大半导体经济体地位,仅次于美国,但在大陆猛烈追赶下,难保未来三年内大陆不会取代台湾半导体二哥地位。
台积电全球年营收高达新台币8,434.97亿元,但大陆比重仍十分低,待瞄准16纳米高阶制程的南京12吋厂量产后,可望挤入大陆前五大半导体大厂,至于联电厦门12吋厂则将以28纳米制程加入大陆高阶制程战局,台厂布局大陆十分积极。
2016年大陆IC设计产值为人民币1,644.3亿元,年增率为24.1%,其中以海思为首,年营收贡献为人民币260亿元,其次为清华紫光展锐年营收规模约人民币125亿元,第三名中兴微电子年营收约人民币56亿元,大陆IC设计公司规模与台湾IC设计龙头联发科距离仍十分遥远。
另外,根据大陆海关统计,2016年大陆半导体进口金额约2,270.7亿美元,年减1.2%,出口半导体金额约613.8亿美元,减少11.1%。
事实上,国际半导体大厂早在2000年之前便十分盛行在大陆盖晶圆厂,包括日本NEC、美国摩托罗拉(Motorola)、荷兰飞利浦(Philips)等,但当时并没有找出好的商业模式,因此并未成功。
这次由大陆官方强力主导成立半导体产业发展基金,加上各地方政府也成立多个扶植基金,这一波大陆半导体强力逆袭,台湾业者已看出严重性,纷期待政府尽速拿出因应对策。
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