如何处理高didt负载瞬态(下)

如何处理高didt负载瞬态(下),第1张

在《如何处理高di/dt负载瞬态(上)》中,我们讨论了电流快速变化时一些负载的电容旁路要求。我们发现必须让低等效串联电感(ESL)电容器靠近负载,因为不到0.5 nH便可产生不可接受的电压剧增。实际上,要达到这种低电感,要求在处理器封装中放置多个旁路电容器和多个互连针脚。本文中,我们将讨论达到电源输出实际di/dt要求所需的旁路电容大小。
 
为了讨论方便,图1显示了电源系统的P-SPICE模型。本图由补偿电路电源、调制器(G1)和输出电容器组成。内部还包括互连电感、旁路电容负载模型、DC负载和步进负载。 如何处理高didt负载瞬态(下),第2张

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